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AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM
Alliance Memory 的 256 MB SDRAM （AS4C8M16S-7BCN and AS4C16M16S-7BCN High-Speed CMOS SDRAMs）是包含 128 Mb 和 256 Mb 存储空间的高速 CMOS 同步 DRAM
发布时间：2018-06-14
Alliance Memory 的 AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 具有 128 MB 和 256 MB 密度，采用 54 焊球 8 mm x 8 mm x 1.2 mm TFBGA 封装。该器件为大量类似解决方案提供了一种可靠的、可直接替代的、引脚兼容型替代品。
AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM特性
低至 4.5 ns 时钟、5 ns 时钟周期的快速访问时间
143 MHz 的快速时钟速率
内部配置为 4 组 2 M 字 x 16 位 (AS4C8M16S-7BCN) 和 4 M 字 x 16 位 (AS4C16M16S-7BCN) 存储空间，带有同步接口
1、2、4、8 或全页面可编程读或写猝发长度，带有猝发端接选择
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
单一 +3.3 V (±0.3 V) 电源
无铅 (Pb)、无卤素
AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM应用
需要高存储带宽的医疗、工业、汽车和电信应用
高性能 PC 应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS4C16M16S-7BCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | AS4C8M16S-7BCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 在线订购 |
应用案例
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