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    主页所有制造商Alliance MemoryAS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM

    AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM

    AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM

    Alliance Memory 的 256 MB SDRAM (AS4C8M16S-7BCN and AS4C16M16S-7BCN High-Speed CMOS SDRAMs)是包含 128 Mb 和 256 Mb 存储空间的高速 CMOS 同步 DRAM

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 具有 128 MB 和 256 MB 密度,采用 54 焊球 8 mm x 8 mm x 1.2 mm TFBGA 封装。该器件为大量类似解决方案提供了一种可靠的、可直接替代的、引脚兼容型替代品。

    AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM特性

    • 低至 4.5 ns 时钟、5 ns 时钟周期的快速访问时间

    • 143 MHz 的快速时钟速率

    • 内部配置为 4 组 2 M 字 x 16 位 (AS4C8M16S-7BCN) 和 4 M 字 x 16 位 (AS4C16M16S-7BCN) 存储空间,带有同步接口

    • 1、2、4、8 或全页面可编程读或写猝发长度,带有猝发端接选择

    • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

    • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

    • 单一 +3.3 V (±0.3 V) 电源

    • 无铅 (Pb)、无卤素

    AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS SDRAM应用

    1. 需要高存储带宽的医疗、工业、汽车和电信应用

    2. 高性能 PC 应用

    AS4C16M16S Series
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    AS4C16M16S-7BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA在线订购
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    AS4C8M16S-7BCNMRAM磁性随机存储器-存储器IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA在线订购

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