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600 V MDMesh™ DM2 MOSFET
STMicroelectronics 推出适合工业应用的 600 V MDmesh DM2 MOSFET（600 V MDmesh™ DM2 MOSFETS）
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 最新的高能效快速恢复二极管 MOSFET 系列具有极低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)，针对要求高开关性能的高电压全桥和半桥拓扑结构进行了优化。 这些 600 V 器件还具有超低 Qg、极低 Coss / Ciss，较低导通状态电阻以及高 dv/dt 稳健性。
600 V MDMesh™ DM2 MOSFET特性
快速恢复体二极管
极低栅极电荷和输入电容
低导通电阻
较低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)
100% 雪崩测试
极高 dv/dt 稳健性
齐纳保护
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STW56N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 50A | ￥59.95080 | 在线订购 |
 | | STW33N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 24A | ￥49.31343 | 在线订购 |
 | | STW56N65DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 48A | ￥46.37600 | 在线订购 |
| | STW18N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 12A | 在线订购 | |
 | | STP18N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH600V12A | 在线订购 |
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