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    密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM

    密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM

    Alliance Memory 提供其 AS4C1M16S-7TCN 1 M x 16 位同步 DRAM (SDRAM)(AS4C1M16S-7TCN High-Speed CMOS SDRAM with Low 16 MB Density)

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C1M16S-7TCN 是高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM),采用 50 引脚、400 密耳塑料 TSOP II 封装,具有低至 16 MB 的密度。 该器件为大量类似的解决方案提供了可靠的直接替代式、引脚对引脚兼容式替代品。

    密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM特性

    • 5.4 ns 时钟、6/7 ns 时钟周期的快速访问时间

    • 143/166 MHz 的快速时钟速率

    • 内部配置为双组 512 K 字 x 16 位存储器,带有同步接口

    • 1、2、4、8 或全页面可编程读或写猝发长度,带有猝发端接选择

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时行预充电

    • JEDEC 标准 +3.3 V (±0.3 V) 电源

    • 无铅、无卤素

    密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM应用

    1. 医疗

    2. 工业

    3. 汽车

    4. 需要高存储带宽的电信应用

    5. 高性能 PC 应用

    AS4C1M16S Series CMOS SDRAM
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    AS4C1M16S-7TCN其他存储器-存储器IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II¥17.09640在线订购
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