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    FSL306LR 脉冲宽度调制器和 SenseFET

    FSL306LR 脉冲宽度调制器和 SenseFET

    ON Semiconductor 推出用于 3 W 离线降压转换器的 650 V 集成电源开关(FSL306LR Pulse Width Modulator and SenseFET)(有误差放大器,无偏置绕组)

    发布时间:2018-06-14

    ON Semiconductor 的 FSL306LR 集成脉宽调制器 (PWM) 和 SenseFET 专为高性能离线降压、降压升压和非隔离反激式开关模式电源 (SMPS) 而设计,这些电源的外部元件极少。 FSL306LR 经配置后可向 IoT 应用供电。在这些应用中,需要采用非隔离 AC/DC 电源解决方案为诸如传感器、射频收发器和微处理器等器件供电。 FSL306LR 的特性包括:单片电源解决方案,含坚固耐用的 650 V MOSFET;可调节峰值电流限值(可提供最佳的输出功率电感器设计);逐周期限流(可提供可靠的过功率保护)。 自偏压,无需辅助电源,可实现紧凑型电源解决方案。 极低的工作电流还可减轻封装热应力,提高可靠性。 内置高电压软启动功能非常适用于空间受限的应用。
    集成 PWM 控制器包含:10 V 稳压器(用于无外部偏压电路)、欠压锁定 (UVLO)、前沿消隐 (LEB)、优化型栅极开/关驱动器、EMI 衰减器、热关断 (TSD)、温度补偿精密电流源(用于环路补偿)和故障保护电路。 保护功能包括过载保护 (OLP)、过压保护 (OVP)、反馈开环保护 (FB_OLP) 和异常过电流保护 (AOCP)。 FSL306LRN 在启动过程中具有良好的软启动性能。
    内部高电压启动开关和猝发模式运行,加之极低的工作电流,减少了待机模式下的功率损耗。 因此,在 230 V  AC    输入电压下,功率损耗可低至120 mW(无外部偏压)和 25 mW(有外部偏压)。

    FSL306LR 脉冲宽度调制器和 SenseFET特性

    • 内置雪崩坚固型 SenseFET:650 V

    • 固定工作频率:50 kHz

    • 空载功耗:有外部偏压时,230 VAC 下小于 25 mW;无外部偏压时,230 VAC 下小于 120 mW

    • 无需辅助偏置绕组

    • 频率调制,使 EMI 衰减

    • 逐脉冲限流

    • 超低工作电流:250 µA

    • 内置软启动和启动电路

    • 可调峰值电流限值

    • 内置跨导(误差)放大器

    • 各种保护功能:过载保护、过压保护、反馈开环保护、异常过电流保护、热关断

    • 所有保护功能的安全自动重启模式的重启时间均为 650 ms

    FSL306LR Pulse Width Modulator and SenseFET
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