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SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件
Vishay 的 VRPower 集成 DrMOS 功率级器件（SIC53/SIC63 VRPOWER® Integrated Power Stage）功率密度高、能效高，适用于笔记本电脑、超极本和台式机
发布时间：2018-06-14
为了满足下一代笔记本电脑、超极本和台式机的高电流、高能效、高功率密度要求，Vishay Siliconix 推出了适用于多相 POL 稳压器应用的五种 VRPower 集成电源级解决方案。 在热增强型 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装和 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L 封装中集中了功率 MOSFET、先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC 和自举肖特基二极管，Vishay Siliconix SiC530、SiC531、SiC532、SiC631 和 SiC632 的封装体积相比使用分立式器件解决方案减小了 45%。
这些器件均针对采用 Intel Skylake 平台的计算平台进行了优化
通过减小输出滤波器的尺寸，高开关频率减小了解决方案的总尺寸和外形
高压侧和低压侧 MOSFET 采用 Vishay 最新的第四代 TrenchFET® 技术，减少了开关和导通损耗
系统在待机模式下工作时，将电流消耗降至 5 µA，并在 5 µs 内从该状态下唤醒
SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件特性
组合了功率 MOSFET、先进的 MOSFET 栅极驱动 IC 和自举肖特基二极管
高功率密度：
在 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装内实现了高达 30 A 的连续电流
在 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L 封装内实现了高达 40 A 的连续电流
满足 IMVP8 的 PS4 模式轻负载要求
符合 RoHS 规范且无卤素
较低的封装寄生性能可实现高达 2 MHz 的开关频率
驱动器 IC 兼容范围广泛的 PWM 控制器，支持 5 V 三态 PWM 逻辑
高能效：
二极管仿真模式电路和零电流检测功能提升了轻负载能效
自适应空载时间控制功能提升了所有负载点的能效
具有欠压锁定 (UVLO) 功能
SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件应用
DC/DC 稳压模块
用于下一代笔记本电脑、超极本、台式机和工作站中 CPU、GPU 和存储器的多相 VRD
向嵌入式系统中的高性能 ASIC 和 FPG 输送电力
云计算
电信/网络基础设施
工业 PC
同步降压稳压器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIC631CD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | 50 A VRPower®集成功率级 | ￥6.85260 | 在线订购 |
 | | SIC531ACD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | IC CTLR STAGE 30A 3.3V PWM PPAK | 在线订购 | |
 | | SIC632CD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | IC CTLR STAGE 50A 5V PWM PPAK ML | ￥16.57462 | 在线订购 |
| | SIC532CD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters Power MOSFET POWERPAK® MLP4535-22L | 在线订购 | |
| | SIC530CD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters Power MOSFET POWERPAK® MLP4535-22L | 在线订购 | |
| | SIC632ACD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | ICCTLRSTAGE50A3.3VPWMPPAK | ￥9.65520 | 在线订购 |
应用案例
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