ON Semiconductor 于上世纪 90 年代发明了沟槽式 MOSFET。 从那时起，他们就一直完善 MOSFET 技术和制造工艺，开发出适合任何应用的数千种产品。 ON Semiconductor 的 MOSFET 具有同类最佳的性能、较高 FOM（品质因数）和有助于简化使用的引脚对引脚兼容性。 设计人员将继续选择 ON Semiconductor MOSFET，来实现高品质、高可靠性、设计支持和一致的可用性。

低压 <30 V

低压范围极宽的 N 和 P 沟道 MOSFET 适用于各种不同的应用，包括 DC/DC 转换、热插拔和负载开关。

中压 30 V 至 250 V

通过采用屏蔽式栅极技术的先进沟槽式工艺，中压 MOSFET 实现了较低开关节点瞬时振荡。

高压 >250 V 至 1700 V

ON Semiconductor 的共面沟槽式和超级结高电压 MOSFET 系列专为高能效和耐用性而设计。

为什么选择 ON Semiconductor FET

• 功率传输解决方案属于 ON Semiconductor 的核心业务，他们已连续超过 50 年提供领先的功率半导体器件。

• MOSFET 和栅极驱动器 IP 组合构建了应用优化型解决方案，能将与总体系统相关的转换和导通损耗降至最低。

• 他们能够使 MOSFET、控制器和 PWM 驱动器 IP 以及先进的工艺和封装功能相融合、匹配，进而优化元器件选择。

• 从减少电压尖峰和过冲，到降低结电容和反向恢复电荷，ON Semiconductor MOSFET 具有出色的设计可靠性，从而无需更多外部元器件即可保持系统正常工作，并实现更长的使用寿命。