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全面的 MOSFET 产品组合
ON Semiconductor 的创新和技术领导历程（Complete MOSFET Portfolio）
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 于上世纪 90 年代发明了沟槽式 MOSFET。 从那时起，他们就一直完善 MOSFET 技术和制造工艺，开发出适合任何应用的数千种产品。 ON Semiconductor 的 MOSFET 具有同类最佳的性能、较高 FOM（品质因数）和有助于简化使用的引脚对引脚兼容性。 设计人员将继续选择 ON Semiconductor MOSFET，来实现高品质、高可靠性、设计支持和一致的可用性。
低压 <30 V
低压范围极宽的 N 和 P 沟道 MOSFET 适用于各种不同的应用，包括 DC/DC 转换、热插拔和负载开关。
中压 30 V 至 250 V
通过采用屏蔽式栅极技术的先进沟槽式工艺，中压 MOSFET 实现了较低开关节点瞬时振荡。
高压 >250 V 至 1700 V
ON Semiconductor 的共面沟槽式和超级结高电压 MOSFET 系列专为高能效和耐用性而设计。
为什么选择 ON Semiconductor FET
功率传输解决方案属于 ON Semiconductor 的核心业务，他们已连续超过 50 年提供领先的功率半导体器件。
MOSFET 和栅极驱动器 IP 组合构建了应用优化型解决方案，能将与总体系统相关的转换和导通损耗降至最低。
他们能够使 MOSFET、控制器和 PWM 驱动器 IP 以及先进的工艺和封装功能相融合、匹配，进而优化元器件选择。
从减少电压尖峰和过冲，到降低结电容和反向恢复电荷，ON Semiconductor MOSFET 具有出色的设计可靠性，从而无需更多外部元器件即可保持系统正常工作，并实现更长的使用寿命。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FCH072N60F | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3 | ￥40.05470 | 在线订购 |
 | | FCH041N60E | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 77A TO-247 | ￥45.81060 | 在线订购 |
 | | FCPF400N80Z | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 800V 11A ZNR | ￥17.72770 | 在线订购 |
| | FCPF400N80ZL1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMS7650 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V POWER56 | ￥12.67255 | 在线订购 |
 | | FDMC8010 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN | ￥4.95880 | 在线订购 |
| | FDMC8010ET30 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN | 在线订购 | |
 | | FDMS7656AS | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V POWER56 | ￥6.60923 | 在线订购 |
 | | FDMS7650DC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 | ￥23.58885 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | FDMS86101A | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 13A POWER56 | ￥26.96062 | 在线订购 |
 | | FDMS86101 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP | ￥6.27970 | 在线订购 |
 | | FDMS86200 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=18mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP | ￥5.60120 | 在线订购 |
 | | FDMS86200DC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 | ￥23.54000 | 在线订购 |
 | | FDMS86101DC | MOSFETs-晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6） | ￥23.81470 | 在线订购 |
应用案例
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全球芯片制造巨头安森美半导体近日向美国证券交易委员会递交了8-K表格，宣布将采取一系列行动，进一步推进其先前公布的“Fab Right”战略。这一战略旨在优化公司的制造网络，并巩固其在全球市场的领导地位。
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资讯安森美宣布全球裁员约1000人2024-06-14
6月14日消息，据路透社报道，安森美（Onsemi）面对电动车需求疲软、客户库存水平过高，芯片市场复苏缓慢的窘境，为了简化业务并降低成本， 近日表示将在全球范围内大举裁撤约1,000名员工。 除了裁员外，安森美还计划对其生产设施进行整合。据公司透露，将合并九个工厂，并重新分配300名员工，或要求他们转岗至其他工厂。这一举措旨在优化资源配置，提高生产效率。 据百能云芯电.子元器.件商.城了解，根据安森美最新的年度报告，截至2023年12月
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伺服电机是一种高精度、高响应速度的电机，广泛应用于自动化设备、机器人、数控机床等领域。在伺服电机的控制中，使能信号（Enable Signal）是一个非常重要的信号，它用于控制伺服电机的启动和停止。使能信号的接法对于伺服电机的正常工作至关重要。本文将详细介绍伺服电机使能信号的接法，包括使能信号的定义、作用、接法以及注意事项。 一、使能信号的定义 使能信号（Enable Signal）是一种数字信号，通常为高电平或低电平。在伺服电机控制系
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在智能电源和感知技术领域，美国纳斯达克上市的安森美公司（onsemi，股票代码：ON）再次展现其技术实力。近日，该公司正式发布了第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，标志着电力电子领域又一大步的飞跃。
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