AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM
Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM (AS4C128M16D2 High-Speed CMOS DDR2 SDRAM)支持高速数据传输,系统频率高达 400 MHz
发布时间:2018-06-14
Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS 双数据速率 2 同步高密度 DRAM (DDR2 SDRAM) 容量为 2 Gb,采用 84 焊球 8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装。对于汽车、工业、消费电子、网络和医疗等要求高存储带宽的产品中的大量类似解决方案,AS4C128M16D2 无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。
AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM特性
84 焊球、8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装
支持商业级温度范围(0°C 至 +85°C)和工业级温度范围(-40°C 至 +95°C)
内部配置为 8 组 16 Mb x 16 存储器,带有同步接口
采用 +1.8 V (±0.1 V) 单电源工作
快速时钟速率 400 MHz,数据速率 800 Mbps/引脚
可编程读或写猝发长度为 4 或 8
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能
符合 RoHS 规范
AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM应用
汽车
工业
消费
网络
医疗
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| AS4C128M16D2A-25BCN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | ¥100.13760 | 在线订购 | |
| AS4C128M16D2A-25BIN | SRAM存储器-存储器 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | 在线订购 |
应用案例
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