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    AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM

    AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM

    Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM (AS4C128M16D2 High-Speed CMOS DDR2 SDRAM)支持高速数据传输,系统频率高达 400 MHz

    发布时间:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS 双数据速率 2 同步高密度 DRAM (DDR2 SDRAM) 容量为 2 Gb,采用 84 焊球 8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装。对于汽车、工业、消费电子、网络和医疗等要求高存储带宽的产品中的大量类似解决方案,AS4C128M16D2 无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

    AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM特性

    • 84 焊球、8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装

    • 支持商业级温度范围(0°C 至 +85°C)和工业级温度范围(-40°C 至 +95°C)

    • 内部配置为 8 组 16 Mb x 16 存储器,带有同步接口

    • 采用 +1.8 V (±0.1 V) 单电源工作

    • 快速时钟速率 400 MHz,数据速率 800 Mbps/引脚

    • 可编程读或写猝发长度为 4 或 8

    • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电

    • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新

    • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能

    • 符合 RoHS 规范

    AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM应用

    1. 汽车

    2. 工业

    3. 消费

    4. 网络

    5. 医疗

    High-Speed CMOS DDR2 SDRAM
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    AS4C128M16D2A-25BCN其他存储器-存储器IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA¥100.13760在线订购
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