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    SCT2H12NZ 栅极驱动器电路

    SCT2H12NZ 栅极驱动器电路

    Rohm 的业内首款栅极驱动器电路(SCT2H12NZ Gate Driver Circuit)将 SiC MOSFET 的性能发挥到极致

    发布时间:2018-06-14

    SCT2H12NZ 为工业设备中的辅助电源提供所需的高击穿电压。 相比传统的硅 MOSFET,导通损耗降低了 8 倍,从而获得了更高的能效。 再结合 ROHM 专门为 SiC MOSFET 驱动器 (BD7682FJ-LB) 设计的 AC/DC 转换器控制 IC,使得该器件能够最大限度地提高性能并将能效提升 6%。 这使得使用更小的外设元件成为可能,从而提高了设备的微型化程度。

    针对工业设备中的辅助电源进行了优化

    相比工业设备辅助电源中所用的 MOSFET,SCT2H12NZ 的导通电阻小了 8 倍(1.15 Ω),且具有更高的击穿电压 (1700 V)。 此外,紧凑的 TO-3PFM 封装保持了工业设备所需的爬电距离(沿着绝缘材料表面的测量距离)。 ROHM 发布表面贴装类型器件 (TO268-2L),同时具有足够的爬电距离。

    当与 ROHM 的专用 IC 配合使用时提升了能效

    使用这款最新的 SiC MOSFET 并配合 ROHM 为 SiC MOSFET 驱动器设计的 AC/DC 转换器控制 IC (BD7682FJ LB),使得该器件能够最大限度地提高性能并将能效提升 6%。 相同时间发生的热将会减少,因此所需的散热元件就可以很小,从而可以使用更小的元器件。


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    SCT2H12NZ Gate Driver Circuit
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