第 3 代沟槽型 SiC MOSFET
ROHM 的原始设计(3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs)实现了高耐受电压、低导通电组和高开关速度
发布时间:2018-06-14
ROHM 的第 3代 SiC MOSFET 采用了专有沟槽式栅极结构。相比现有的共面型 SiC MOSFET,这种结构能将导通电阻减少 50%,输入电容减少 35%。 也就是说,该器件显著降低了开关损耗,实现了更快的开关速度,既能提升能效,又能降低各种设备的功率损耗。
第 3 代沟槽型 SiC MOSFET特性
更低的导通电阻提高了逆变器的功率密度
支持高速开关操作
寄生二极管的最小反向恢复特性
较小的 Qg 和寄生电容
可防止因寄生二极管导通造成降额
兼容高工作温度 (Tjmax= 175°C)
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| SCT3120ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH650V21ATO247N | ¥72.56720 | 在线订购 | |
| SCT3160KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=1.2KV VGS=-4~+22V ID=17A RDS(ON)=208mΩ@18V TO247 | ¥35.44560 | 在线订购 | |
| SCT3060ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH650V39ATO247N | 在线订购 | ||
| SCT3080KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH1.2KV31ATO247N | ¥81.12960 | 在线订购 | |
| SCT3030ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH650V70ATO247N | 在线订购 | ||
| SCT3040KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH1.2KV55ATO247N | 在线订购 | ||
| SCT3022ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET NCH 650V 93A TO247N | 在线订购 | ||
| SCT3030KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH1.2KV72ATO247N | 在线订购 |
应用案例
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