ROHM Semiconductor的 BS2103F-E2是一款单片高端和低端栅极驱动IC，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。

浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600 V.

可以使用3.3 V和5.0 V逻辑输入。

当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止发生故障。