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带有 ECC 的 DDR3 SDRAM
ISSI 提供其带有内置纠错码 (ECC) 功能的、可防止数据位误差的 DDR3 DRAM（DDR3 SDRAM with ECC）
发布时间：2018-06-14
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 提供其具有 ECC 的 IS46TR16640ED、1 千兆位 (1-Gbit) DDR3 DRAM。 该产品带有嵌入纠错码 (ECC)，可在运行中检测和纠正位误差。 它无需监控，也不会干预使用，且向后兼容标准 DDR3。 这款 1 Gb DDR3 器件采用 64Mbx16 结构和 96 焊球 BGA 封装，工作电压为 1.5 V。该器件提供两个汽车温度级型号：A1，工作在 -40°C 至 95°C 之间，以及 A2，工作在 -40°C 至 105°C。 这增加了 DDR3 SDRAM 产品系列和 ISSI 种类繁多的 DRAM 选择。 正如 ISSI 的其它 DRAM 产品一样，ISSI 能够按照客户在汽车、工业和其它高可靠性市场领域应用要求提供长生命周期产品支持。
带有 ECC 的 DDR3 SDRAM特性
双向差分数据选通
内部纠错码 (ECC)，以防止位误差
可编程 CAS 延时
自动刷新和自刷新模式
OCD（驱动器调节）
ODT（片内端接）支持
写入均衡
长期支持
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IS46TR16640ED-15HBLA1 | 其他分类 | IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA | 在线订购 | |
| | IS46TR16640ED-15HBLA2 | 其他分类 | IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA | 在线订购 |
应用案例
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