600 V,紧凑型集成电源模块(IPM)
安森美半导体提供紧凑型DIP封装的8 A / 600 V和10 A / 600 V集成电源模块(600 V, Compact Integrated Power Modules (IPMs))
发布时间:2018-06-14
安森美半导体的紧凑型IPM 是完全集成的逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻。它们适用于驱动永磁同步电机(PMSM),无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,为控制算法的选择提供了最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括交叉传导保护,外部关断和欠压锁定功能。内部比较器和基准电压源连接到过流保护电路,允许设计人员设置过流保护电平。
产品规格
STK5Q4U352J-E
评级:600 V
我:8 A.
Iop:16 A.
底物:DBC
STK5Q4U362J-E
评级:600 V
电流:10 A.
Iop:20 A.
底物:DBC
600 V,紧凑型集成电源模块(IPM)特性
DBC具有最低的热阻和最高的功率密度
IGBT /二极管经过优化,可在满足EMI要求的同时实现最佳功效
过流保护电路
所有通道的欠压锁定
交叉传导防止电路
用于外壳温度监控的热敏电阻
用于额定功率水平的更小和更冷的模块简化了热设计并降低了系统成本
600 V,紧凑型集成电源模块(IPM)应用
水泵
球迷
工业司机
工业自动化
洗衣机
白色家电
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| STK5Q4U362J-E | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | MOD IPM INVERTER 3PH DIPS3 | 在线订购 | ||
| STK5Q4U352J-E | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | MODULE IPM INVERTER 3PH SPCM24 | ¥93.39966 | 在线订购 |
应用案例
资讯安森美SiC方案助力800V车型加速发布 解决补能焦虑2024-04-01
实际上,近期有越来越多的国内外车企开始加速800V电压架构车型的量产,多款20-25万元价格段的标配SiC车型上市。
资讯用于CCD读出的电荷耦合器件时钟技术2024-04-04
安森美半导体的 KAI-1020:这是一款行间传输器件,分辨率为 1000 × 1000 活动像素。控制电压范围为 –9V 至 +15V。但是,应用于芯片的控制信号使用 5V 逻辑;内部驱动器将逻辑信号转换为电荷传输门所需的电压电平。
资讯安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧2024-03-28
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
资讯安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S2024-03-26
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
资讯安森美推出了一款全新M3S 1200V EliteSiC功率集成模块2024-03-22
作为提高效率和优化热管理的理想解决方案,SiC技术在应用端需求的刺激下快速迭代。
资讯安森美全新推出的EliteSiC功率集成模块,可破解电动汽车充电难题2024-03-21
安森美(onsemi)全新推出的EliteSiC功率集成模块,可为电动汽车直流超快速充电桩提供双向充电功能。
资讯安森美发布全新EliteSiC功率集成模块2024-03-21
安森美公司近日发布了全新EliteSiC功率集成模块,这款创新产品为电动汽车直流超快速充电桩赋予了双向充电的先进功能。相较于传统的硅基IGBT解决方案,EliteSiC在尺寸上实现了最多40%的缩减,重量上更是达到了最多52%的减轻。这一显著的优势意味着充电平台更为紧凑、轻便,为电动汽车的直流快充技术带来了革命性的改变,大大缩短了充电时间。
资讯安森美推出一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具2024-03-20
Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具,适用于软/硬开关应用,使工程师在开发周期的早期阶段,