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    bq76200 高压侧 N 沟道 FET 驱动器

    bq76200 高压侧 N 沟道 FET 驱动器

    Texas Instruments 提供 bq76200 高电压电池组前端充放电、高压侧 NFET 驱动器(bq76200 High-Side N-Channel FET Driver)

    发布时间:2018-06-14

    Texas Instruments 的 bq76200 器件是一个低功耗、高压侧、N 沟道系统。 高压侧保护可防止系统中的接地引断开,同时允许电池组与主机系统之间进行连续通信。 该器件的附加 P 沟道 FET 控制功能用于对深度耗尽型电池进行低电流预充电,而其 PACK+ 电压监控功能则用于主机检测 PACK+ 电压。
    独立的使能输入允许 CHG 与 DSG FET 单独导通和关断 ,增大了电池系统的实施灵活性。
    bq76200 器件可与配套型模拟前端器件搭配使用,例如 bq76920/30/40 系列、3 节至 15 节串联电池模拟前端监控器件,以及主机微控制器或专用的充电状态 (SOC) 跟踪电量计。

    bq76200 高压侧 N 沟道 FET 驱动器特性

    • CHG 和 DSG 高压侧 NMOS FET 驱动器用于电池保护和 FET 快速导通和关断

    • 预充电 PFET 驱动器,用于为显著耗尽型电池组进行限流式预充电

    • 独立的数字使能型充/放电控制

    • 所需外部元器件最少

    • 基于电容器的可扩展外部电荷泵,以适应并联 FET 的不同范围

    • 耐高电压(最大绝对电压 100 V)

    • 内部开关,用于启用电池组电压检测功能

    • 支持共用和独立的充放电路径配置

    • 用于直接搭配使用 bq76940、bq76930 和 bq76920 电池监控器

    • 电流消耗:

      • 正常模式:40 µA

      • 关断模式:小于 10 µA(最大)

    bq76200 High-Side N-Channel FET Driver
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