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ZXMS6005N8 IntelliFET MOSFET
Diodes 的 60 V、N 沟道、低压侧 IntelliFET MOSFET （ZXMS6005N8 IntelliFET MOSFET）采用 SO-8 封装，提供更佳性能的系统保护
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 宣布推出 ZXMS6005N8 低压侧 IntelliFET，这是一款采用行业标准 SO-8 封装的 MOSFET，这一新产品的推出进一步壮大了 60 V N 沟道 IntelliFET 系列的阵容。
不同于标准的分立式 MOSFET 开关，ZXMS6005N8 在高热效率的单体封装中同时集成了 MOSFET 和智能电路，可提供多种功能，如过压、超温、过流、短路和 ESD 保护等。 该器件专为自身以及负载提供保护，并可在标准 MOSFET 难以应付的恶劣环境中工作。 此外，ZXMS6005N8 可以作为一种通用开关使用，或在 12 V 和 24 VDC 应用中作为由 3.3 V 或 5 V 微控制器驱动的电源开关使用。
ZXMS6005N8 非常适合在开关应用中驱动各种不同的阻性、感性和容性负载。 此外，该器件可取代多个机电继电器和分立式电路。 因此，电路复杂性有所降低，可实现对元件数、PCB 尺寸和总体系统成本的节约。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ZXMS6005N8-13 | 电源开关/负载开关-电源管理 | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO | ￥3.56400 | 在线订购 |
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