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    超高能效 U-MOS IX-H MOSFET

    超高能效 U-MOS IX-H MOSFET

    Toshiba 扩充了其超高能效 MOSFET 系列,增加了 30 V、40 V 和 60 V 器件(Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs)

    发布时间:2018-06-14

    Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品,为其现有的产品线新增 30 V、40 V 和 60 V 器件。 所有这些器件均提供超紧凑的 TSON Advance、SOP Advance 和 TO-220/TO-220-SIS 封装选择,可实现低导通电阻、低 QOSS,进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。
    这些 N 沟道 MOSFET 包括了 30 V、40 V 和 60 V 器件,基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 沟槽式半导体工艺。 这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON)),以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率,最终实现在各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
    MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间,包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。 这些技术也非常适合用于电机控制,以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。

    超高能效 U-MOS IX-H MOSFET特性

    • 低漏源导通电阻

    • 低输出电荷(漏源电容电荷)

    • TSON Advance 封装 (3.3 x 3.3 x 0.85 mm)

    • SOP Advance 封装 (5 x 6 x 0.95 mm)

    • TO-220/TO-220SIS 封装 (10 x 15 x 4.45 mm)

    超高能效 U-MOS IX-H MOSFET应用

    1. 服务器和基站电源

    2. 高能效 DC-DC 转换器

    3. 开关稳压器

    Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    TPN1R603PL,L1QMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR¥15.11650在线订购
    TPH3R003PL,LQMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR¥2.94948在线订购
    TPH2R506PL,L1QMOSFETs-晶体管• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers¥13.00320在线订购
    TPH7R204PL,LQMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR¥8.50748在线订购
    TPH7R006PL,L1QMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR¥4.59460在线订购
    TPHR9203PL,L1QMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR¥18.12643在线订购
    TK8R2A06PL,S4XMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR在线订购
    TK3R1E04PL,S1XMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR在线订购
    TK3R1A04PL,S4XMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR在线订购
    TK4R3E06PL,S1XMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR在线订购
    TK4R3A06PL,S4XMOSFETs-晶体管X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR¥12.46450在线订购

    应用案例

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