资讯安森美SiC Cascode JFET的背景知识和并联设计2025-02-27

随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文为第一篇，聚焦Cascode产品介绍、Cascode背景知识和并联设计。

资讯安森美新型SiC模块评估板概述2025-02-25

碳化硅（SiC）技术正引领一场革新，为从新能源汽车到工业电源管理等多个行业带来前所未有的效率和性能提升。为了帮助工程师们更好地探索和利用 SiC 技术的潜力，安森美（onsemi）推出了一系列评估板，速来一起探索。

资讯安森美M3S与M2 SiC MOSFET的性能比较2025-02-21

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低，提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于探讨专为低电池电压领域的高速开关应用而设计的先进 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技术。通过各种特性测试和仿真，评估了 MOSFET 相对于同等竞争产品的性能。第一篇介绍SiC MOSFET的基础知识、M3S 技术和产品组合。本文为第二篇，将介绍电气特性、参数和品质因数、拓扑与仿真等。

资讯安森美EliteSiC MOSFET技术解析2025-02-20

SiC 器件性能表现突出，能实现高功率密度设计，有效应对关键环境和能源成本挑战，也因此越来越受到电力电子领域的青睐。与硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的运行频率更高，有助于实现高功率密度设计、减少散热、提高能效，并减轻电源转换器的重量。其独特的材料特性可以减少开关和导通损耗。与 Si MOSFET 相比，SiC 器件的电介质击穿强度更高、能量带隙更宽且热导率更优，有利于开发更紧凑、更高效的电源转换器。