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    XLamp®XP-L2 LED

    XLamp®XP-L2 LED

    Cree性能最高的高密度分立LED(XLamp® XP-L2 LEDs)

    发布时间:2018-06-14

    XLamp®XP-L2 LED是Cree性能最高的高密度分立LED。利用Cree SC5 Technology™平台的关键元件,高功率XP-L2 LED可在相同的3.45 mm x 3.45 mm封装中提高XP-L LED的流明密度,电压特性和可靠性。这种一流的性能使照明制造商能够以较低的系统成本为道路,户外区域,现场和高棚照明等应用提供差异化解决方案。



    XLamp®XP-L2 LED特性

    • 有白色,70-,80-和90-CRI白色可供选择

    • ANSI兼容的色度箱

    • 在85°C下装箱

    • 最大驱动电流:3,000 mA

    • 低热阻:2.2°C / W.

    • 宽视角:125°

    • 在≤30°C / 85%RH下无限制的使用寿命

    • 可回流焊接的JEDEC J-STD-020C

    • 电中性热路径

    XLamp XP-L2 LEDs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    XPLBWT-00-0000-000BV50E2发光二极管/LED-光电器件LEDXLAMPCOOLWHITE5700KSMD¥19.57571在线订购
    XPLBWT-00-0000-000BV50E5发光二极管/LED-光电器件LEDXLAMPNEUTWHITE4000KSMD¥20.99981在线订购
    XPLBWT-00-0000-000BV50E3发光二极管/LED-光电器件LEDXLAMPCOOLWHITE5000KSMD在线订购
    XPLBWT-00-0000-000BV540E发光二极管/LED-光电器件LEDXLAMPNEUTWHITE4000KSMD¥20.21966在线订购
    XPLBWT-00-0000-000BV550E发光二极管/LED-光电器件LEDXLAMPCOOLWHITE5000KSMD在线订购
    XPLBWT-00-0000-000HV30E5发光二极管/LED-光电器件LED Lighting XLamp® XP-L2 White, Neutral 4000K 2.82V 1.05A 125°¥21.81805在线订购
    XPLBWT-00-0000-000HV340G发光二极管/LED-光电器件LED Lighting XLamp® XP-L2 White, Neutral 4000K 3-Step MacAdam Ellipse 2.82V 1.05A 125°¥32.56639在线订购
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    XPLBWT-00-0000-0000V40DT数据采集 - 触摸屏控制器LED XLAMP在线订购
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    应用案例

    • 资讯国芯思辰|基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流2022-07-20

      车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC)输出的功能,其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制,已经不能满足车载充电机对效率的需求,本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D),该二极管

    • 资讯CREE(科锐)公司的历史和产品变迁2023-07-10

      说到GaN(氮化镓)产品,不得不说到一家美国公司:CREE科锐,可以说,讲GaN材料应用到极致,并产生商业价值最大化,全球没有第二家公司超越。 经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司,有点混淆。 CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳,1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场,由于当时的市场主要还是白炽灯的时代,而LED灯珠以超高的能效比,全球市场需求迅速爆发,仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。 由于LED灯珠的制造工艺,涉及到SiC材料

    • 资讯国芯思辰|基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升2022-08-26

      显示屏电源是LED显示屏的重要组成部分,主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流,保证屏体正常显示。LED电源框图如图所示。LED电源框图整流器是LED电源转换模块的核心元器件。为了更好地将交流电转换为直流电,设计师更倾向于碳化硅肖特基二极管整流器,因其具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力。基本半导体碳化硅肖特基二

    • 资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24

      Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽性能;从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入;前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多

    • 资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11

      Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,CGHV60170D具备更优越的使用性能;包含更高击穿场强;更高饱和电子偏移速率;和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较,CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化,科学和医疗放大器电路 ClassA;AB;主要用于OFDM的线型放大器电路;无线频分多

    • 资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04

      Wolfspeed的CGH40120是前所未有的;氮化镓(GaN);高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应;具备通用型;各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化;高增益和宽带宽宽性能;使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设

    • 资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22

      Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益;和宽带宽性能;从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的

    • 资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19

      Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC),处于碳化硅衬底上;采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较,SiC上的GaN性能更强;GaAs或GaNonSi;包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较,GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度;GaAs;和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压

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