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XLamp® MHB-B LED
Cree 推出其 XLamp MHB-B LED（XLamp® MHB-B LEDs），该产品能降低高性能照明应用的系统成本
发布时间：2018-06-14
Cree 的 XLamp MHB-B 是高功率 LED，为高棚、路面和室外照明等高流明照明应用降低系统成本提供了一种比中等功率 LED 更有效的方法。 充分利用了 Cree SC5 Technology™ 平台的关键元件，这款陶瓷 MHB-B LED 集高光输出、高能效和高可靠性优势于一体，实现了中等功率 LED 不可能实现的高流明 LED 设计。 MHB-B LED 采用与 MHB-A LED 相同的 5 mm x 5 mm 封装，却比后者具有更高的 LPW，这让制造商能够迅速提升现有 MHB 设计的性能，而无需另外任何投资。
XLamp® MHB-B LED特性
可灵活地选择 9 V、18 V 或 36 V
最大驱动电流：700 mA (9 V)、350 mA (18 V)、175 mA (36 V)
视角：115°
提供 70‑CRI、80‑CRI 和 90‑CRI
在 ≤30°C/85% RH 条件下车间寿命无限
可进行回流焊接 - JEDEC J‑STD‑020C
热电分离
符合 RoHS 和 REACH 规范
获得 UL® 认可的元件 (E349212)
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MHBAWT-0000-000C0BD440E | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP 4000K WHITE 9V SMD | ￥11.38889 | 在线订购 |
| | MHBAWT-0000-000N0BD265E | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP 6500K WHITE 36V SMD | ￥9.50205 | 在线订购 |
| | MHBAWT-0000-000C0BD450E | 发光二极管/LED-光电器件 | LED Lighting Xlamp® MHB-A White, Cool 5000K 5-Step MacAdam Ellipse 9V 480mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | 在线订购 | |
| | MHBAWT-0000-000C0HC230G | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP 3000K WHITE 9V SMD | ￥6.85094 | 在线订购 |
| | MHBAWT-0000-000C0HC430H | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP 3000K WHITE 9V SMD | ￥11.65119 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MHBBWT-0000-000C0BD440E | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMPNEUTWHT4000KSMD | 在线订购 | |
| | MHBBWT-0000-000N0HC427G | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMPWARMWHT2700KSMD | ￥14.06061 | 在线订购 |
| | MHBBWT-0000-000N0HD230G | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMPWARMWHT3000KSMD | ￥14.06061 | 在线订购 |
| | MHBBWT-0000-000C0BD230E | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMPWARMWHT3000KSMD | 在线订购 | |
| | MHBBWT-0000-000C0BD430E | 发光二极管/LED-光电器件 | LEDXLAMPWARMWHT3000KSMD | 在线订购 |
应用案例
资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24
Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入；前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多
资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGHV60170D具备更优越的使用性能；包含更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化，科学和医疗放大器电路 ClassA;AB；主要用于OFDM的线型放大器电路；无线频分多
资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化；高增益和宽带宽宽性能；使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设
资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益;和宽带宽性能；从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的
资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC)，处于碳化硅衬底上；采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较，SiC上的GaN性能更强；GaAs或GaNonSi；包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较，GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度；GaAs；和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压
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基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计
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Cree灯珠内部空洞 ymf
资讯Cree|Wolfspeed与意法半导体扩大现有150mm SiC晶圆供应协议2021-08-20
意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 表示：“此次最新的扩大与科锐的长期晶圆供应协议，将继续提高我们全球 SiC 衬底供应的灵活性。
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