45 V 和 60 V 超高能效 MOSFET
Toshiba 扩充了其超高能效 MOSFET 系列,为公司的现有产品线新增具有 DSOP Advance 封装 (5 mm x 6 mm) 选择的 45 V 和 60 V 器件(45 V and 60 V Ultra-High-Efficiency MOSFETs)
发布时间:2018-06-14
Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品,为公司的现有产品线新增 45 V 和 60 V 器件。 所有这些器件均提供超紧凑 DSOP Advance 封装选择。这种封装可实现低导通电阻、低 QOSS,进而提升开关模式电源的能效。 它们适用于基站、服务器或工业设备。
这些 N 沟道 MOSFET 包括一个 45 V 器件和一个 60 V 器件,基于 Toshiba 的新一代 U-MOS IX-H 沟槽半导体工艺。 这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON)),以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率,最终在实现各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间,包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。 这些技术也非常适合用于电机控制,以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备保护电路。
在电压 (VGS) 为 10 V 时,45 V MOSFET 的最大额定 RDS(ON) 仅 0.75 mΩ,而 COSS 的典型值为 1860 pF。 60 V 器件的 RDS(ON) 和 COSS(典型值)分别为 0.95 mΩ 和 1160 pF。 这样,就可确保灵活地为给定应用进行性能优化。
UMOS IX-H MOSFET 均采用低厚度表面贴装 DSOP Advance 封装:采用双侧冷却封装,尺寸仅为 5 mm x 6 mm。所有 MOSFET 工作时的通道温度均可达 175°C。
45 V 和 60 V 超高能效 MOSFET特性
低漏源导通电阻
低输出电荷(漏源电容电荷)
DSOP Advance 封装:双侧冷却封装 (5 mm x 6 mm x 0.95 mm)
45 V 和 60 V 超高能效 MOSFET应用
服务器和基站电源
高能效 DC-DC 转换器
开关稳压器
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| TPW1R005PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | ¥11.57540 | 在线订购 | |
| TPW1R306PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ¥10.31250 | 在线订购 |
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