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    SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET

    SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET

    Vishay 的 SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET(SiR638DP, N-Channel, 40 V MOSFET) 具有高电流和低 RDS(ON)

    发布时间:2018-06-14

    Vishay 的 SiR638DP 具有业内一流的 RDS(ON) 和输出电容 (Coss),从而实现更低的系统功耗。 该器件采用坚固耐用的 PowerPAK SO-8 封装,额定电流 100 A DC。 PowerPAK SO-8 封装与标准 SO-8 封装具有相同的基底面和相同的引脚布局。 因此,PowerPAK 可用来直接替换标准的 SO-8 封装。 PowerPAK SO-8 采用无引线封装,利用了整个 SO-8 基底面,释放通常由引线占用的空间,从而比标准的 SO-8 封装能容纳更大的芯片。

    SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET特性

    • TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

    • 经过 100% Rg 和 UIS 测试

    • Qgd/Qgs 的比值 < 1,优化了开关特性

    SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET应用

    1. 同步整流

    2. O 型环

    3. 高功率密度 DC/DC

    4. VRMS 和嵌入式 DC/DC

    5. DC/AC 逆变器

    6. 负载开关

    SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SIR638DP-T1-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8¥4.84748在线订购

    应用案例

    • 资讯Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器2024-12-13

      这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms 的快速导通时间和 2 nA 的低漏电流   美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 12 月 11 日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款1 Form A固态继电器---VOR1060M4,该器件采用薄形SOP-4封装,提供600 V负载电压和3750 VRMS隔离电压。Vishay  VOR1060M4旨在为储能、工业和移动应用提供快速开关,可提供0.3 ms的快速导通时间(典型值)和2 nA的低漏电流。   日前发布的这款光隔离

    • 资讯威世科技推出新款固态继电器VOR1060M42024-12-12

      近日,全球领先的电子元件制造商威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布,正式推出其最新款1 Form A固态继电器——VOR1060M4。这款固态继电器采用了紧凑的薄形SOP-4封装,集高性能与便捷性于一身。 VOR1060M4的设计充分考虑了储能、工业和移动应用的需求。它提供了高达600V的负载电压和3750 VRMS的隔离电压,确保了在不同应用场景下的可靠性和安全性。同时,该固态继电器还具备出色的开关性能,提供了0.3ms的快速导通时间(典型值),能够满足对开关速度有严格

    • 资讯Vishay投资5100万英镑升级NWF晶圆厂2024-12-02

      Vishay Intertechnology(威世科技),一家全球知名的分立半导体和无源元件制造商,近日宣布将向位于威尔士纽波特的晶圆厂(Newport Wafer Fab,NWF)投资5100万英镑。该晶圆厂是Vishay在今年早些时候从Nexperia(安世半导体)手中强制收购而来的。

    • 资讯Vishay推出1 Form A固态继电器VORA1010M42024-10-28

      日前,全球领先的电子元件制造商威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出其业内先进的1 Form A固态继电器——VORA1010M4。这款固态继电器不仅通过了AEC-Q102认证,具备卓越的可靠性,而且其负载电压高达100V,为各类应用提供了强有力的支持。

    • 资讯Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE32024-10-25

      VishayTrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET,具有业内超低导通电阻RDS(on)的特性,进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAKSO-8封装,能以三分之一的尺寸实现相近的效率。应用于大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。应用框图特性源漏极导通

    • 资讯Vishay推出超小型车规级ESD保护二极管2024-10-22

      日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出了一款全新的车规级双向单路ESD(静电放电)保护二极管——VETH100A1DD1。这款器件采用了易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装,专为车载以太网应用而设计。

    • 资讯Vishay突破性封装技术DFN3820A的优势2024-10-11

      随着自动驾驶技术的兴起,汽车配备的系统越来越复杂,所需的电子组件也转向要求极致的小型化及稳定高效的性能,在此条件下,封装技术扮演着关键角色。

    • 资讯Vishay微型降压DC/DC转换器SiC461ED-T1-GE32024-09-30

      SiC461ED是一个宽输入电压、高效率DC/DC转换器,集成高压端和低压端同步降压调节功率MOSFET。其功率MOSFET能够以高达2MHz的开关频率,提供连续的大电流频率。该调节器可调输出电压低至0.8V,输入电压4.5V至60V范围,适应于各种应用,包括计算、消费电子、电信和工业。典型应用电路特性功能―输入电压范围4.5V至60V―输出电压可调,低至0

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