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TPS54116-Q1 降压转换器
TI 提供 TPS54116-Q1 汽车级 DDR 电源解决方案（TPS54116-Q1 Step-Down Converters），该方案包括一个 4 A、2 MHz VDDQ DC/DC 转换器、1 A VTT LDO 和 VTTREF 缓冲式基准输出
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器，配有两个集成 MOSFET、一个带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。 TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，其开关频率最高达 2.5MHz。 开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型应用的需求，而且能够与外部时钟同步。 同步整流使频率在整个输出负载范围内保持恒定。 通过集成 25mΩ 低压侧 MOSFET 和 33mΩ 高压侧 MOSFET 最大限度地提升了效率。 逐周期峰值电流限制功能可在过流状态下保护器件，且该功能可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。
VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应，从而减少了外部组件数量。 TPS54116-Q1 使用 VTT 远程检测功能，从而实现最佳稳压。 该器件利用使能引脚进入关断模式可将电源电流降至 1µA。 欠压锁定阈值可通过任一使能引脚上的电阻排进行设置。 VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会放电。 该器件具备全集成特性并且采用小型 4 mm × 4 mm 耐热增强型 WQFN 封装，最大限度地减小了 IC 尺寸。
TPS54116-Q1 降压转换器特性
通过了 AEC-Q100 标准鉴定，结果如下：
器件温度 1 级：工作环境温度范围 -40°C 至 125°C
器件 HBM ESD 分类第 2 级
器件 CDM ESD 分类第 C6 级
1 A 拉/灌电流终端 LDO，精确度为 ±20 mV DC
通过 2 个 10 µ F MLCC 电容器实现稳定
10mA 拉/灌电流、缓冲式基准输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
独立使能引脚，欠压锁定 (UVLO) 和迟滞均可调
热关断
单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
4 A 同步降压转换器
33mΩ 高压侧和 25mΩ 低压侧集成 MOSFET
恒频电流模式控制器
可调节频率：100 kHz 至 2.5 MHz
可与外部时钟同步
整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
可调逐周期峰值限流功能
单调启动到预偏置输出
24 引脚 4 mm x 4 mm WQFN 封装
-40°C 至 150°C 工作温度 TJ
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TPS54116QRTWTQ1 | 专用电源管理IC-电源管理 | ICREGSINK/SOURCEDDR24WQFN | ￥21.55680 | 在线订购 |
| | TPS54116QRTWRQ1 | 专用电源管理IC-电源管理 | ICREGSINK/SOURCEDDR24WQFN | ￥14.63994 | 在线订购 |
| 文档名称 | 类型 | 大小 | 更新日期 | 查看次数 | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| TPS54116-Q1中文资料 | | - |  | ||
| TPS54116-Q1datasheet | | - | |
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