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    主页所有制造商TransphormTDHBG2500P100 2.5 kW 半桥评估板

    TDHBG2500P100 2.5 kW 半桥评估板

    TDHBG2500P100 2.5 kW 半桥评估板

    Transphorm 的 TDHBG2500P100 评估板(TDHBG2500P100 2.5 kW Half-Bridge Evaluation Board)可用于各种不同电路配置的基本开关功能评估

    发布时间:2018-06-14

    TDHBG2500P100 半桥评估板提供简单降压或升压转换器的所有元素,用于对 Transphorm 650 V 氮化镓 (GaN) FET 的开关特性进行基本评估。 无论是在降压或升压模式下,该电路均可配置用于同步整流。 跳线器允许使用单个逻辑输入或独立高/低输入。 高电压输入和输出可工作在高达 400 VDC 下,功率输出高达 2.5 kW。 提供的电感器旨在确保高效运行于 100 kHz,此外,也可以方便地使用其它电感器和频率。


    TDHGB2500P100 输入/输出规格

    • 高电压输入/输出:400 VDC 最大值

    • 逻辑输入:标称 0 V 至 5 V

      • 脉冲生成电路:Vlo < 1.5 V、Vhi > 3.0 V

      • 直连至栅极驱动器:Vlo < 0.8 V,Vhi > 2.0 V

      • SMA 同轴连接器

    • 辅助电源 (J1):最小 10V、最大 18 V

    • 开关频率:视配置而定

      • 下限由电感器峰值电流决定

      • 上限由所需的死区时间和功率耗散决定


    Evaluation Board
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    TDHBG2500P100-KITDC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS-开发套件/万能板/PCB板-开发板/套件/编程器2.5KWHB,BUCKORBOOSTEVALKIT在线订购

    应用案例

    • 资讯瑞萨完成对Transphorm的收购2024-06-21

      加速宽禁带产品供应并推出15款全新基于GaN的成功产品组合参考设计 2024 年 6 月 20 日,日本东京讯 ― 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(以下“瑞萨”,TSE:6723)今日宣布,已于2024年6月20日完成对氮化镓(GaN)功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)的收购。随着收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计,以满足对宽禁带(WBG)半导体产品日益增长的需求。 与传统的硅基器件相比,GaN和碳

    • 资讯Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件2024-04-25

      全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起,组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。 新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Tra

    • 资讯瑞萨电子收购氮化镓供应商Transphorm2024-01-23

      瑞萨电子近日宣布了一项重大收购,以每股5.10美元的价格收购美国氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm。这次收购总额为3.39亿美元,相当于24.34亿元人民币。相比1月10日的收盘价,此次收购溢价约35%。

    • 资讯Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线2024-01-19

      加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程,该制造工艺不仅可靠性高,而且具有良好的成本效益,

    • 资讯瑞萨宣布收购Transphorm,双方已达成最终协议2024-01-19

      此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元(约合人民币24.27亿元)。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术。

    • 资讯瑞萨豪掷3.39亿美元收购Transphorm,押宝GaN技术2024-01-12

      在科技领域的巨浪中,瑞萨电子以35%的溢价宣告了一项重磅收购。1月11日,瑞萨电子正式宣布与氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm达成最终协议,按照协议的规定,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的高价收购Transphorm,总估值达到了3.39亿美元。 据百能云芯电.子元器.件商.城了解,此次收购将赋予瑞萨电子自主GaN技术,进一步拓展其业务领域,将目光瞄准电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等多个高速增长的

    • 资讯瑞萨宣布收购Transphorm,大举进军GaN2024-01-12

      全球半导体解决方案供应商 瑞萨 电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。   此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材

    • 资讯Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计2023-12-27

      新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计,并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势   2023 年 12 月 21 日 -全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码TGAN)宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压(CC/CV)电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧和150毫欧 SuperGaN® 器件,以极具竞争力的成本实现高效的 AC-DC 功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实

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