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ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 可编程耗尽型 FET 偏置控制器
Diodes 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 （ZABG4003, ZABG6003, and ZABG6004 Programmable Depletion Mode FET Bias Controllers）提供先进的FET 保护功能，拥有更高的性能和更低的工作电流
发布时间：2018-06-14
Diode 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 是主要针对卫星低噪声块（LNB）的低功耗、可编程耗尽型 FET 偏置控制器。 这些器件旨在提供系统灵活性，可以编程为偏置最多四个（ZABG4003）或六个（ZABG6003 / ZABG6004）低噪声放大器（LNA）级。 这些偏置控制器最小工作电流仅为 1 mA，可在 2.1 V 至 5.5 V 供电电压下工作，是低功耗设计的理想选择。 小封装和减少的元件数最大程度减小化了 PCB 面积，同时提高了整体 LNB 可靠性。
ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 可编程耗尽型 FET 偏置控制器特性
可编程 GaAs FET LNA
为 GaAs 和 HEMT FET LNA 提供高达四个或六个独立偏置级
用于 LNA 和有源混频器的独立用户可编程漏电流
低电流工作、宽供电和温度范围
在 -40°C 至 +105°C 温度范围内使用 2.1 V 至 5.5 V 电源轨工作
专为 3 V / 3.3 V / 5 V 低功耗 LNB 设计
允许关闭 FET 对，以实现智能 LNB 系统
小而灵活的解决方案
最小的应用电路，同时能够实现系统灵活性
封装在小型 3 mm x 3 mm QFN 封装中，用于最小的 PCB 空间（标准 QSOP20）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ZABG4003JA16TC | 专用电源管理IC-电源管理 | ICCTRLRBIASFETU-QFN3030-16 | ￥3.19788 | 在线订购 |
| | ZABG6004JA16TC | 专用电源管理IC-电源管理 | ICCTRLRBIASFETU-QFN3030-16 | 在线订购 | |
 | | ZABG6003JA16TC | 专用电源管理IC-电源管理 | ICCTRLRBIASFETU-QFN3030-16 | ￥2.22588 | 在线订购 |
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