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    CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

    CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

    Texas Instruments 推出采用 3.3 mm x 3.3 mm VSONP 封装的 CSD17581Q3A、30 V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET(CSD17581Q3A N-Channel NexFET™ Power MOSFET)

    发布时间:2018-06-14

    Texas Instruments 的 30 V、3.2 mΩ、VSONP 3.3 mm x 3.3 mm NexFET 功率 MOSFET 设计用于将电源转换应用的损耗降至最低。 这些器件包括负载点同步降压转换器,适用于网络、电信和计算系统、电机控制应用,而且经过优化后还可用于控制 FET 应用。

    CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET特性

    • 低 QG和 QGD

    • 低 RDS(ON)

    • 低热阻

    • 雪崩级

    • 无铅

    • 符合 RoHS 规范

    • 无卤素

    • VSONP 3.3 mm x 3.3 mm 塑料封装

    CSD17581Q3A N-Channel NexFET Power MOSFET
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    CSD17581Q3ATMOSFETs-晶体管30VN-CHANNELNEXFETPOWERMOSFE¥7.79760在线订购

    应用案例

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