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LMG5200 80 V GaN 半桥功率级
Texas Instruments 提供其 LMG5200 半桥 GaN 功率级（LMG5200 80 V GaN Half-Bridge Power Stage），具有高度集成的高压侧和低压侧栅极驱动器
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments LMG5200 器件是 80 V、10 A 驱动器 和 GaN 半桥功率级，借助增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包括两个采用半桥配置的 80 V GaN FET，由一个高频率 GaN FET 驱动器驱动。
GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也很小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6 mm x 8 mm x 2 mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，都能够承受最高 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效工作及小尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48 V 电压转换为负载点电压 (0.5 V -1.5 V)。
LMG5200 80 V GaN 半桥功率级特性
集成 15 mΩ GaN FET 和驱动器
80 V 连续、100 V 脉冲电压额定值
封装经过优化，方便 PCB 布线，无需考底部填充、爬电距离和电气间隙要求
超低的公共源电感，确保了高转换率，在硬开关拓扑中不会造成过多的振铃
隔离式和非隔离式应用的理想选择
栅极驱动器能够实现高达 10 MHz 的开关
内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
电源轨欠压锁定
出色的传播延迟（典型值为 29.5 ns）和匹配（典型值为 2ns）
低功耗
LMG5200 80 V GaN 半桥功率级应用
宽 VIN 数兆赫兹同步降压转换器
D 类音频放大器
高功率密度单相和三相电机驱动
适用于电信、工业和企业计算的 48 V 负载点 (POL) 转换器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | LMG5200MOFT | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | ICHALF-BRIDGEDRIVER9QFM | ￥76.32360 | 在线订购 |
| | LMG5200MOFR | 步进电机驱动器-电机产品 | LMG5200MOFR | ￥70.56720 | 在线订购 |
| 文档名称 | 类型 | 大小 | 更新日期 | 查看次数 | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| Layout Guidelines for LMG5200 ~ 80-V, 10-A, GaN Power Stage Module | | 589KB | 653次 |  | |
| LMG5200中文资料 | | - | | ||
| LMG5200datasheet | | - | |
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