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第 5 代 eGaN® FET
EPC 的第 5 代 eGaN FET 提升了品质因数（Gen 5 eGaN® FET）
发布时间：2018-06-14
EPC 第 5 代的推出标志着向全新性能领域跨出了一大步。该最新一代技术不仅将器件的尺寸减小至第 4 eGaN FET 的一半，而且将性能提升三倍。如此之大的成本降低和性能提升创造了一种“良性循环”，正使得 eGaN FET 比 IC 以及逐渐过时的功率 MOSFET 拥有更大的性能和成本优势。
第 5 代 eGaN® FET特性
小封装 - 巨大的性能提升
在 100 V 电压下，eGaN FET 的 RDS(ON) x 芯片面积是最新硅晶 MOSFET 的 4 倍之多
在 200 V 电压下，该优势猛增到 16 倍
提升了品质因数 (FOM)
最新一代 eGaN FET 在 100 V 电压下的优势为硅晶器件的四倍，而在 200 V 电压这种优势达到了 8 倍，适用于在高频电源转换应用中提升开关性能。
应用从性能提升中获得很大益处
例如，在 48 V 至 5 V 电路中以及 500 kHz 开关频率下，100 V EPC2045 相比最具竞争力的MOSFET，功率损耗减少了 30% 且能效提高了 2.5%。
第 5 代 eGaN® FET应用
开放式机架服务器架构
LIDAR
USB-C
负载点转换器
D 类音频
LED 照明
低电感电机驱动
电动汽车
无线充电
多级 AC-DC 电源
同步整流（48 VOUT）
机器人
太阳能微型逆变器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | EPC2045ENGRT | MOSFETs-晶体管 | TRANSGAN100VBUMPEDDIE | 在线订购 | |
 | | EPC2046ENGRT | MOSFETs-晶体管 | TRANS GAN 200V BUMPED DIE | 在线订购 | |
 | | EPC9079 | 评估和演示板和套件-开发板/套件/编程器 | BOARD DEV FOR EPC2046 200V EGAN | 在线订购 | |
 | | EPC9081 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | BOARDDEVFOREPC2047200VEGAN | 在线订购 | |
 | | EPC9080 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | BOARDDEVFOREPC2045&EPC2022 | ￥1674.25702 | 在线订购 |
 | | EPC9078 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | BOARDDEVFOREPC2045100VEGAN | 在线订购 | |
 | | EPC2047ENGRT | MOSFETs-晶体管 | TRANSGAN200VBUMPEDDIE | 在线订购 |
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