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    NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器

    NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器

    ON Semiconductor 推出其电压范围上限高至 600 V 的 NCP510x MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器(NCP510x High Voltage MOSFET and IGBT Gate Drivers)

    发布时间:2018-06-14

    ON Semiconductor 的 NCP510x 器件属高电压栅极驱动器 IC,提供两个用于直接驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的输出,可安排成半桥配置(B 版)或任何其它高压侧加低压侧配置(A 版)。这些器件采用自举技术确保正确驱动高压侧电源开关。这款驱动器可与两个独立输入一起使用。

    NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器特性

    • 高电压范围:最高 600V

    • dv/dt 抗扰度 ± 50 V/nsec

    • 栅极驱动供电范围:10 V 至 20 V

    • 高压和低压驱动输出

    • 输出拉电流 / 灌电流能力:250 mA / 500 mA

    • 3.3 V 和 5 V 输入逻辑兼容

    • 输入引脚上摆动可达 VCC

    • 两个通道间传播延迟相互匹配

    • 输出与输入同相

    • 独立逻辑输入,可接受所有的拓扑结构(A 版)

    • 交叉传导保护,具有 100 ns 的内部固定空载时间(B 版)

    • 两个通道均设有低于 VCC 时的欠压锁定 (UVLO)

    • 与行业标准引脚兼容

    NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器应用

    1. 半桥电源转换器

    2. 任何互补驱动转换器(非对称式半桥、有源箝位)(仅限 A 版)

    3. 全桥转换器

    4. 固态电机驱动

    NCP510x High Voltage MOSFET and IGBT Gate Drivers
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