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NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器
ON Semiconductor 推出其电压范围上限高至 600 V 的 NCP510x MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器（NCP510x High Voltage MOSFET and IGBT Gate Drivers）
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 NCP510x 器件属高电压栅极驱动器 IC，提供两个用于直接驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的输出，可安排成半桥配置（B 版）或任何其它高压侧加低压侧配置（A 版）。这些器件采用自举技术确保正确驱动高压侧电源开关。这款驱动器可与两个独立输入一起使用。
NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器特性
高电压范围：最高 600V
dv/dt 抗扰度 ± 50 V/nsec
栅极驱动供电范围：10 V 至 20 V
高压和低压驱动输出
输出拉电流 / 灌电流能力：250 mA / 500 mA
3.3 V 和 5 V 输入逻辑兼容
输入引脚上摆动可达 VCC
两个通道间传播延迟相互匹配
输出与输入同相
独立逻辑输入，可接受所有的拓扑结构（A 版）
交叉传导保护，具有 100 ns 的内部固定空载时间（B 版）
两个通道均设有低于 VCC 时的欠压锁定 (UVLO)
与行业标准引脚兼容
NCP510x 高电压 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器应用
半桥电源转换器
任何互补驱动转换器（非对称式半桥、有源箝位）（仅限 A 版）
全桥转换器
固态电机驱动
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NCP5109AMNTWG | 栅极驱动-电源管理 | ICDRIVERHI/LO600V10DFN | 在线订购 | |
| | NCP5106AMNTWG | 栅极驱动-电源管理 | ICDRIVERHI/LO600V10DFN | 在线订购 | |
 | | NCP5106BMNTWG | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN | 在线订购 | |
 | | NCP5109BMNTWG | 栅极驱动-电源管理 | MOSFET / IGBT DRIVERS, DUAL INPU | 在线订购 |
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