购物车
上传BOM
SIRA20DP TrenchFET® 第四代 MOSFET
Vishay Siliconix 推出 SIRA20DP 25 V、0.58 mΩ N 沟道 MOSFET（SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET），实现极低的最大 RDS(ON)
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix SiRA20DP N 沟道 25 V MOSFET 具有同类产品中最小的 RDS(ON)。该器件通过优化总栅极电荷 (Qg)、栅漏电荷 (Qgd) 和 Qgd/栅源电荷 (Qgs) 比，降低了开关相关的功率损耗。很低的 Qgd“米勒”充电可更快地通过平台电压。 该器件封装在传统的 PowerPAK® SO-8 设计中。 无需改变封装尺寸和引脚配置，即可实现更高的功率密度。10-mil 夹片将封装带来的电阻降低了 66%，并能够最大化硅的性能。
SIRA20DP TrenchFET® 第四代 MOSFET特性
提供极低的最大 RDS(ON) 额定值 (VGS = 10 V)
RDS(ON) 减少了导通损耗，因此提高了功率密度
为器件提供了最低的 Qg，最大 RDS(ON) < 0.6 mΩ
经过 100% Rg 和 UIS 测试
低 Qg 实现了高效率 DC/DC 转换
采用 PowerPAK SO-8 封装
SIRA20DP TrenchFET® 第四代 MOSFET应用
同步整流
高功率密度 DC/DC
同步降压稳压器
O 圈
负载切换
电池管理
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIRA20DP-T1-RE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CHAN25VPOWERPAKSO-8 | ￥5.94864 | 在线订购 |
应用案例
资讯Vishay亮相2024慕尼黑上海电子展2024-07-08
7 月 8 日至 10 日，2024 年慕尼黑上海电子展 ( electronica China ) 在上海新国际博览中心召开。开展当天，Vishay 现场展示了丰富的无源和分立半导体解决方案。
资讯Vishay SQJQ140E速写：这才是理想的车用MOSFET该有的样子2024-07-05
如果让你为理想的车用 MOSFET “画个像”，那该是什么模样？ 首先，它需要满足严格的车规标准的要求，具有很高的可靠性；其次在能效方面，它也应该有出色的表现，以降低功耗并减少热应力的挑战；再有，它最好还要具有更紧凑的外形，提供更高的功率密度…… 按照这样的“画像”去选料，Vishay 的很多车规级 MOSFET 都是理想的“人选”，其中 SQJQ140E 就是一款代表性的产品。如果为 SQJQ140E 画一张“速写“，你会发现其综合优势非常明显： ① 通过
资讯开发物联网节点能量收集方案 Vishay基于196 HVC ENYCAP的能量收集电路参考设计2024-07-05
基于 196 HVC ENYCAP 能量收集电路参考设计 物联网的发展，需要部署海量的边缘节点设备，在很多应用场景中，由于节点设备数量庞大、地处偏远难于维护，抑或是出于成本的考虑，不宜使用电池供电，这时就需要考虑采用能量收集解决方案，让这些节点设备的供电能够实现“自给自足”。 一个典型的能量收集方案的设计中，需要集成能量采集、转换和存储等多个功能组件，还需要考量外形、功耗、成本、可靠性和耐用性等技术要素，并不是一个简单的工
资讯Vishay威世科技荣获大陆汽车电子（长春）有限公司2023年供应链卓越奖2024-07-05
日前，Vishay 宣布，公司荣获大陆汽车电子（长春）有限公司 2023 年度供应链卓越奖，该公司是《财富》世界 500 强企业德国大陆集团在长春的研发和生产基地。此项大奖旨在表彰 Vishay 对大陆汽车电子（长春）公司的杰出贡献，特别是快速响应和高质量服务，以及应对紧急订单变化的灵活性。 大陆汽车电子（长春）公司研发生产汽车电子元器件，广泛用于车联网（IoV）、智慧交通、安全系统等领域。其客户包括在中国的几乎所有一级整车厂，产品出口
资讯Vishay威世科技荣获大陆汽车电子（长春）有限公司2023年供应链卓越奖2024-07-05
日前，Vishay 宣布，公司荣获大陆汽车电子（长春）有限公司 2023 年度供应链卓越奖，该公司是《财富》世界 500 强企业德国大陆集团在长春的研发和生产基地。此项大奖旨在表彰 Vishay 对大陆汽车电子（长春）公司的杰出贡献，特别是快速响应和高质量服务，以及应对紧急订单变化的灵活性。 大陆汽车电子（长春）公司研发生产汽车电子元器件，广泛用于车联网（IoV）、智慧交通、安全系统等领域。其客户包括在中国的几乎所有一级整车厂，产品出口
资讯Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性2024-07-05
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 5 A 至 40 A 器件，采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插
资讯Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性2024-07-05
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 5 A 至 40 A 器件，采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插
资讯Vishay 改良设计的 INT-A-PAK 封装 IGBT 功率模块2024-06-29
Vishay推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N组成，采用Vishay的TrenchIGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON)或低Eoff
工商网监