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采用 SOD123 封装的汽车二极管
Nexperia 提供符合 AEC-Q101 标准、采用 SOD123 封装的中等功率整流器和开关二极管（Automotive Diodes in SOD123 Package）
发布时间：2018-06-14
这类器是最基本的硅器件，与其它任何器件同样至关重要。Nexperia 确保其高品质二极管达到最高标准，以适应各种应用的最苛刻要求。Nexperia 不断创新，在提高性能和可靠性的同时减小功耗和尺寸，使得业已成熟的特性得到进一步提升。这样，用户就能在竞争激烈的市场中满足不断增长的需求。
采用 SOD123 封装的汽车二极管特性
符合 AEC-Q101 标准
SOD123（鸥翼）封装
鸥翼设计，易于焊接到 PCB 上
体积：2.7 mm x 1.6 mm x 1.15 mm
Rth[j-s]：45 K/W
采用 SOD123 封装的汽车二极管应用
高速开关
极性保护
一般整流
高效电源转换
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PMEG2005EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：390mV@500mA | ￥0.45976 | 在线订购 |
 | | PMEG3020EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：620mV@2A | ￥0.84294 | 在线订购 |
 | | BAT46GWX | 肖特基二极管-二极管 | 肖特基二极管 Single VR=100V IF=250mA IR=1µA CJ=39pF SOD123 | ￥0.34720 | 在线订购 |
 | | PMEG4005EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：470mV@500mA | ￥0.63364 | 在线订购 |
 | | BAT54GWJ | 肖特基二极管-二极管 | 30 V，200 mA肖特基势垒二极管 | ￥0.34776 | 在线订购 |
 | | BAS116GWJ | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | 在线订购 | |
 | | BAS116GWX | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | ￥0.44831 | 在线订购 |
 | | BAT46GWJ | 肖特基二极管-二极管 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：710mV@250mA 反向电流(Ir)：2uA@100V | ￥0.43881 | 在线订购 |
 | | PMEG2005EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：390mV@500mA | 在线订购 | |
 | | PMEG4005EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：470mV@500mA | 在线订购 | |
| | PMEG4010EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：540mV@1A | ￥0.35392 | 在线订购 |
 | | PMEG4010CEGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：570mV@1A | ￥0.45090 | 在线订购 |
 | | PMEG4010CEGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：570mV@1A | ￥0.67911 | 在线订购 |
 | | PMEG3020EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：620mV@2A | ￥2.51890 | 在线订购 |
 | | BAS16GWJ | 开关二极管（小信号）-二极管 | 开关二极管 VR=100V IF=215mA Trr=4ns P=600mW SOD123 | ￥1.81440 | 在线订购 |
 | | BAS16GWX | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：357mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | ￥0.18663 | 在线订购 |
 | | BAS21GWX | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：380mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj) | ￥0.13980 | 在线订购 |
 | | BAS21GWJ | 开关二极管（小信号）-二极管 | 开关二极管 VR=200V IF=225mA Trr=50ns P=660mW SOD123 | ￥0.23890 | 在线订购 |
| | BAT54GWX | 肖特基二极管-二极管 | VR=30V IF=200mA | ￥1.34110 | 在线订购 |
 | | PMEG4010EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：640mV@1A | ￥0.20780 | 在线订购 |
应用案例
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理想二极管与负载开关的电气性能出色，能为智能电表、安防系统、电池供电的可穿戴设备和汽车远程信息处理等安全关键应用带来诸多益处。
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Nexperia近期推出了一系列采用微型车规级MicroPak XSON5无引脚封装的新型逻辑IC。这些创新的逻辑IC专为汽车领域空间受限的应用场景而设计，旨在满足复杂且多样化的需求。 MicroPak XSON5封装不仅小巧，还具备出色的热管理性能。其热增强型塑料外壳有效提升了器件的散热能力，确保在长时间高负荷运行下依然稳定可靠。这一特点使得MicroPak XSON5封装的逻辑IC特别适用于汽车领域的各种应用场景，如底盘安全系统、电池监控、信息娱乐系统以及高级驾驶辅助系
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Nexperia公司近日宣布，成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET，这些产品均采用了创新的CCPAK1212封装技术。这一突破性设计不仅提升了功率密度，还带来了卓越的性能表现，满足了电机控制、电源管理、可再生能源系统以及高耗电应用等领域的严格要求。 CCPAK1212封装采用了独特的铜夹片设计，能够承载更高的电流，同时寄生电感更低，热性能更加出色。这一创新设计使得这些MOSFET在高功率应用中表现出色，成为电机控制、电源管理等领域的理想选择。 此外
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在2024年12月12日落幕的行家说三代半年会上，行业内上下游主流企业及行业精英汇聚深圳，共同探讨行业趋势，深化交流合作。安世半导体作为其中的重要一员，凭借其领先产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”荣获「GaN年度优秀产品奖」，这一成就不仅展现了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，也彰显了其在第三代半导体领域深耕多年的成果。
资讯安世半导体推出微型无引脚逻辑IC2024-12-17
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日发布了一系列采用微型车规级MicroPak XSON5无引脚封装的新型逻辑IC。这些微型逻辑IC专为空间受限的应用而设计，适用于汽车领域的各种复杂应用场景，如底盘安全系统、电池监控、信息娱乐系统以及高级驾驶辅助系统(ADAS)。
资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度
资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度
资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度
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