购物车
上传BOM
采用 SOD123 封装的汽车二极管
Nexperia 提供符合 AEC-Q101 标准、采用 SOD123 封装的中等功率整流器和开关二极管（Automotive Diodes in SOD123 Package）
发布时间：2018-06-14
这类器是最基本的硅器件，与其它任何器件同样至关重要。Nexperia 确保其高品质二极管达到最高标准，以适应各种应用的最苛刻要求。Nexperia 不断创新，在提高性能和可靠性的同时减小功耗和尺寸，使得业已成熟的特性得到进一步提升。这样，用户就能在竞争激烈的市场中满足不断增长的需求。
采用 SOD123 封装的汽车二极管特性
符合 AEC-Q101 标准
SOD123（鸥翼）封装
鸥翼设计，易于焊接到 PCB 上
体积：2.7 mm x 1.6 mm x 1.15 mm
Rth[j-s]：45 K/W
采用 SOD123 封装的汽车二极管应用
高速开关
极性保护
一般整流
高效电源转换
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PMEG2005EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：390mV@500mA | ￥1.93320 | 在线订购 |
 | | PMEG3020EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：620mV@2A | ￥0.83752 | 在线订购 |
 | | BAT46GWX | 肖特基二极管-二极管 | 肖特基二极管 Single VR=100V IF=250mA IR=1µA CJ=39pF SOD123 | ￥0.55880 | 在线订购 |
 | | PMEG4005EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：470mV@500mA | ￥0.66720 | 在线订购 |
 | | BAT54GWJ | 肖特基二极管-二极管 | 30 V，200 mA肖特基势垒二极管 | ￥0.71790 | 在线订购 |
 | | BAS116GWJ | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | 在线订购 | |
 | | BAS116GWX | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | ￥0.46569 | 在线订购 |
 | | BAT46GWJ | 肖特基二极管-二极管 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：710mV@250mA 反向电流(Ir)：2uA@100V | ￥0.43673 | 在线订购 |
 | | PMEG2005EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：390mV@500mA | 在线订购 | |
 | | PMEG4005EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：500mA 正向压降(Vf)：470mV@500mA | 在线订购 | |
| | PMEG4010EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：540mV@1A | ￥1.79670 | 在线订购 |
 | | PMEG4010CEGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：570mV@1A | ￥0.43910 | 在线订购 |
 | | PMEG4010CEGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：570mV@1A | ￥0.65988 | 在线订购 |
 | | PMEG3020EGWJ | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：620mV@2A | 在线订购 | |
 | | BAS16GWJ | 开关二极管（小信号）-二极管 | 开关二极管 VR=100V IF=215mA Trr=4ns P=600mW SOD123 | ￥3.02400 | 在线订购 |
 | | BAS16GWX | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：357mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | ￥0.17598 | 在线订购 |
 | | BAS21GWX | 开关二极管（小信号）-二极管 | 二极管配置：独立式 功率：380mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj) | ￥0.13980 | 在线订购 |
 | | BAS21GWJ | 开关二极管（小信号）-二极管 | 开关二极管 VR=200V IF=225mA Trr=50ns P=660mW SOD123 | ￥0.21388 | 在线订购 |
| | BAT54GWX | 肖特基二极管-二极管 | VR=30V IF=200mA | ￥0.79180 | 在线订购 |
 | | PMEG4010EGWX | 肖特基二极管-二极管 | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：640mV@1A | ￥0.39450 | 在线订购 |
应用案例
资讯Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET2024-07-15
随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
资讯Nexperia发布650V超快速恢复整流二极管2024-07-12
在半导体技术的持续创新浪潮中，Nexperia再次站在了行业的前沿，隆重推出了两款专为高压环境精心设计的650V超快速恢复整流二极管。这两款产品不仅代表了Nexperia在高压半导体元件领域的深厚积累，也预示着工业及消费领域将迎来更高效、更可靠的电力转换解决方案。
资讯Nexperia推出650V两种超快速恢复整流二极管2024-07-11
Nexperia（安世半导体）近日推出了采用D2PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JTE) 设计，具有高功率密度、快速开关时间、软恢复能力和出色的可靠性。它们采用D2PAK真双引脚封装 (SOT8018)，封装尺寸与标准D2PAK封装相同，但只有两个引脚，而不是三个（去掉了中间的阴极引脚）。这
资讯Nexperia推出两款650V超快速恢复整流二极管2024-07-11
2024年7月10日，半导体行业的领军企业Nexperia隆重推出了两款专为高压环境设计的650V超快速恢复整流二极管，这些产品采用了独特的D2 PAK真双引脚（R2P）封装技术，旨在广泛应用于工业及消费领域，如充电适配器、光伏（PV）系统、逆变器、数据中心服务器以及开关模式电源（SMPS）等。
资讯大联大世平集团推出基于onsemi和Nexperia产品的4.5W非隔离辅助电源方案2024-07-04
2024年7月2日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢复二极管的4.5W非隔离辅助电源方案。 图示1-大联大世平基于onsemi和Nexperia产品的4.5W非隔离辅助电源方案的展示板图 随着电子技术的不断进步，小型家电在日常生活中的应用场景愈发多样化。在这些家电应用中，辅助电源的设计尤为重要。其既要满足低功耗、高效率的运行需求，以
资讯安世半导体斥资2亿美元扩产德国基地，聚焦宽禁带半导体技术2024-06-29
在全球半导体产业日新月异的今天，芯片制造商Nexperia（安世半导体）再次展现了其前瞻性的战略布局。近日，该公司宣布将投资高达2亿美元，用于在德国汉堡工厂开发下一代宽禁带半导体产品，并扩大其晶圆厂的产能。
资讯Nexperia斥资2亿美元,布局未来宽禁带半导体产业2024-06-28
在全球电气化和数字化浪潮不断加速的今天，半导体技术作为其核心驱动力，正迎来前所未有的发展机遇。近日，全球知名半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，将斥资2亿美元（约合1.84亿欧元）用于下一代宽禁带半导体（WBG）的研发和生产，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等高性能材料，进一步巩固其作为全球节能半导体领导者的地位。
资讯安世半导体宣布2亿美元投资，加速宽禁带半导体研发与生产2024-06-28
在全球半导体市场日新月异的今天，荷兰半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布，计划投资高达2亿美元（约合1.84亿欧元），用于研发下一代宽禁带半导体产品，并在其位于汉堡的工厂建立生产基础设施。
工商网监