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    为支持 10 Gbps 的器件提供 ESD 保护

    为支持 10 Gbps 的器件提供 ESD 保护

    Nexperia 为单线路和多线路高速数据线路推出 TrEOS 保护产品(ESD protection for 10 Gbps-ready devices)

    发布时间:2018-06-14

    Nexperia TrEOS 保护器件系列的首款单线路和多线路器件为所有三个关键参数——电容、钳位电压和抗浪涌能力确立了基准性能。 这些器件提供完美的保护解决方案,能够保护高达 10 Gbps 的高速接口,并支持高密度设计。
    PUSB3FR4、PUSB3FR6 和 PUSB3AB6 多线路器件采用深度快速恢复技术(用于 PUSB3FRx,II = 1 A 时典型值为 1.5 V;TLP 100/10 ns),并结合仅 0.27 Ω 的动态电阻,从而实现出色的系统保护。 这些器件采用专为直通布线设计的小型无引线 DFN2510A-10 (SOT1176-1) 和 DFN2111-7 (SOT1358-1) 塑料封装,这种布线方法能优化信号完整性并简化电路板布局。
    单线路器件包括双向型(PESD5V0R1BSF、PESD5V0H1BSF、PESD5V0C1BSF)和单向型(PESD5V0C1USF)。 这些四种保护器件都采用很小的 0201 外形尺寸 (DSN0603-2),尤其非常适合如智能手机、平板电脑和其它便携式应用等空间受限型应用。

    为支持 10 Gbps 的器件提供 ESD 保护特性

    为所有主要参数确立了基准性能

      • 低至 0.10 pF 的(典型值)超低电容,可充分支持 10 Gbps SuperSpeed USB

      • 超低动态电阻:低至 0.18 Ω(典型值) 和深度快速恢复技术,以提供能保护敏感型 SoC 的低钳位电压

      • 可以抵御达到 20 kV 接触放电的高 ESD 耐受能力,这已超过了 IEC 61000-4-2 标准的 4 级规定,以及达到 9 A 的高浪涌耐受能力(IEC61000-4-5 标准的 8/20 μs 脉冲)

    TrEOS Protection Devices
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    PESD5V0H1BSFYLESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=5 V IPP=7 A SOD962-2¥0.20229在线订购
    PESD5V0C1USFYLESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD VRWM=5 V VBR(Min)=5.5 V VC=3 V IPP=9 A DSN0603-2¥0.35349在线订购
    PUSB3FR4ZESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD抑制器/TVS二极管 Vbr(min)=5.5V Vc=3V@Ipp=7A DFN2510A-10¥0.45393在线订购
    PESD5V0R1BSFYLESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=5.0 V IPP=4.5 A DSN0603-2¥0.23037在线订购
    PESD5V0C1BSFYLESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD VRWM=5V VBR(Min)=6V VC=5.5V IPP=9 A DSN0603-2¥0.76830在线订购
    PUSB3AB6ZESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD抑制器/TVS二极管 3.3V 5A XSON7_2.2X1.2MM¥1.65003在线订购
    PUSB3FR6ZESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件ESD抑制器/TVS二极管 VBR(Min)=6V VC=3V @IPP=5A XSON7¥2.35560在线订购

    应用案例

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