20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET
NXP 的 20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET (20 V and 30 V N-Channel Trench MOSFETs)具有 1200 mW 的增强型功率耗散能力
发布时间:2018-06-14
NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 通道、增强模式场效应晶体管 (FET),其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET特性
沟槽式 MOSFET 技术
低箝位电压
非常快的开关速度
1200 mW 的增强型功率耗散能力
20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET应用
LED 驱动器
电源管理
低压侧负载开关
开关电路
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| PMV20XNER | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 510mW SMT SOT23 7.2A N-Channel | ¥1.32765 | 在线订购 |
应用案例
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