BSH205G2 20 V,P沟道沟槽MOSFET
Nexperia的20 V P沟道沟槽MOSFET(BSH205G2 20 V, P-Channel Trench MOSFET)具有890 mW的增强功率耗散能力
发布时间:2018-06-14
BSH205G2 20 V,P沟道沟槽MOSFET特性
低阈值电压
增强的功耗为890 mW
低导通电阻
沟槽MOSFET技术
BSH205G2 20 V,P沟道沟槽MOSFET应用
继电器司机
高速线路驱动器
高端负载开关
开关电路
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| BSH205G2R | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 20V 3.00 x 1.40mm SMT SOT23 2.3A | ¥0.36290 | 在线订购 |
应用案例
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资讯Nexperia、艾迈斯欧司朗、是德科技...多家大厂发布新品!2024-09-24
关注!传感器、驱动器等前沿产品动向 近些年来,在物联网、智能家居等细分市场不断扩容和需求推动的背景下,半导体技术朝向更精准、更高效、低成本的方向发展,这助推了包括芯片、传感器、驱动器等元件的不断更迭,性能也不断优化。 目前半导体前沿产品市场有哪些新动向?以下为3个创新实践案例。 01 | Nexperia:新款变压器驱动器带来汽车、工业等高效应用! Nexperia宣布推出NXF6501-Q100、NXF6505A-Q100和NXF6505B-Q100变压器驱动器。 这些是符合AEC-Q100标准
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