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DFN1010 晶体管
用于空间受限型应用中电源管理和负载开关的理想器件（DFN1010 Transistors）
发布时间：2018-06-14
NXP Semiconductors 的 DFN1010 系列晶体管尺寸小、功能强。 该系列是电流高达 3 A 的下一代封装器件，是具有 RDSon 和 VCEsat 基准值的高 Ptot MOSFET 和双极晶体管。 这些晶体管是用于空间受限型应用中电源管理和负载切换的理想器件。
封装详细信息
超小尺寸、扁平封装 (1.1 x 1 x 0.37 mm)
单和双通道配置（最小的双晶体管封装）
功率耗散（Ptot) 为 1 W (DFN1010D-3)
单封装，带表面镀锡、侧焊盘，改进了安装并符合汽车要求
DFN1010 晶体管特性
单和双通道 MOSFET（N / P 沟道）
RDS 低至 34 Ω
ID 高达 3.2 A
电压范围为 12 V 至 80 V
ESD 保护超过 1 kV
单极晶体管
VCEsat 值低至 70 mV
集极电流 (IC) 高达 2 A，峰值集极电流 (ICM) 高达 3 A
VVCEO 为 30 V 和 60 V
AEC-Q101 资质
DFN1010 晶体管应用
需要小尺寸解决方案的便携、移动和汽车应用
电源管理
充电电路
电源开关（电机、风扇等）
电平位移
LED 照明（汽车矩阵光及其它）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BC847QAPNZ | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 45V 100mA NPN+PNP DFN1006B-6 200~450 | ￥0.49907 | 在线订购 |
| | PQMD12Z | 通用三极管-晶体管 | 三极管 NPN,PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=350mW DFN1010B-6 | 在线订购 | |
 | | PBSS4160QAZ | 通用三极管-晶体管 | TRANS NPN 60V 1A 3DFN | 在线订购 | |
| | PBSS5230QAZ | 通用三极管-晶体管 | 三极管 PNP Ic=-2A Vceo=-30V hfe=425 P=1000mW DFN1010D-3 | 在线订购 | |
 | | PBSS4130QAZ | 通用三极管-晶体管 | 三极管 NPN Ic=1A Vceo=30V hfe=430 P=1000mW DFN1010D-3 | 在线订购 | |
| | PBSS4230QAZ | 通用三极管-晶体管 | TRANSNPN30V2ADFN1010D-3 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | PMXB360ENEAZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=1.1A VDS=80V DFN1010D-3 | ￥1.24611 | 在线订购 |
 | | PMXB120EPE | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | 在线订购 | |
 | | PMDXB600UNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 Dual N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1010B-6 | ￥0.46890 | 在线订购 |
 | | PMXB43UNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=3.2A VDS=20V DFN1010D-3 | ￥1.37592 | 在线订购 |
| | PMXB350UPEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=1.2A VDS=20V DFN1010D-3 | 在线订购 | |
| | PMXB65ENEZ | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 400mW SMT SOT1215 3.2A N-Channel | ￥1.20890 | 在线订购 |
 | | PMCXB900UEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel,P-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1010B-6 | ￥1.40962 | 在线订购 |
| | PMXB40UNE | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | 在线订购 |
应用案例
资讯Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET2024-07-15
随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
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资讯Nexperia推出两款650V超快速恢复整流二极管2024-07-11
2024年7月10日，半导体行业的领军企业Nexperia隆重推出了两款专为高压环境设计的650V超快速恢复整流二极管，这些产品采用了独特的D2 PAK真双引脚（R2P）封装技术，旨在广泛应用于工业及消费领域，如充电适配器、光伏（PV）系统、逆变器、数据中心服务器以及开关模式电源（SMPS）等。
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资讯Nexperia斥资2亿美元,布局未来宽禁带半导体产业2024-06-28
在全球电气化和数字化浪潮不断加速的今天，半导体技术作为其核心驱动力，正迎来前所未有的发展机遇。近日，全球知名半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，将斥资2亿美元（约合1.84亿欧元）用于下一代宽禁带半导体（WBG）的研发和生产，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等高性能材料，进一步巩固其作为全球节能半导体领导者的地位。
资讯安世半导体宣布2亿美元投资，加速宽禁带半导体研发与生产2024-06-28
在全球半导体市场日新月异的今天，荷兰半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布，计划投资高达2亿美元（约合1.84亿欧元），用于研发下一代宽禁带半导体产品，并在其位于汉堡的工厂建立生产基础设施。
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