资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度

资讯Nexperia发布16款新功率MOSFET，采用创新CCPAK封装2024-12-12

Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。这些产品均采用了创新的铜夹片CCPAK1212封装技术，为行业树立了功率密度和性能的新标杆。 CCPAK封装设计独特，能够承载高电流，寄生电感更低，同时热性能卓越。这些特性使得新推出的MOSFET非常适合电机控制、电源管理、可再生能源系统以及其他高耗电应用。 值得一提的是，该系列还包含了专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET(ASFET)。这些器件不仅性能出众，还能满足AI服务器对热插拔功能

资讯Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍2022-11-21

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。  多年来，Nexperia（安世半导体）致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的

资讯安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻2024-12-09

IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺，为工业应用带来高可靠性的同时，提高功率密度。