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第五代深沟槽工艺超级结 MOSFET
Toshiba 的 600 V 和 650 V DTMOS V 工艺实现了紧凑的 MOSFET（Fifth-Generation Deep Trench Process Super Junction MOSFETs），可在电源开关应用中简化设计导入并降低 EMI 噪声
发布时间：2018-06-14
Toshiba 推出用于高能效功率 MOSFET 的下一代超级结 (SJ) 深沟槽半导体技术。与以前的 DTMOS IV MOSFET 相比，基于新的 DTMOS V 工艺的器件具有更低的 EMI 噪声，并降低了导通电阻 (RDS(ON))。
与以前的 DTMOS IV 半导体技术一样，DTMOS V 技术基于单一外延工艺，涉及“深沟槽蚀刻”，后跟 P 型外延生长。与更传统的平面过程相比，深沟槽填充过程导致单元间距变窄和 RDS(ON) 降低。与使用多外延生长工艺的传统超级结 MOSFET 相比，Toshiba 的深沟槽工艺可以提高 RDS(ON) 的热系数。
与 TK12P60W DTMOS IV MOSFET 技术提供的最低 RDS(ON) 相比，Toshiba 能够使用 DTMOS V 技术将 DPAK TK290P60Y 的 RDS(ON) 降低 17%。该公司还进一步优化了开关性能与 EMI 噪声之间的平衡。
DTMOS V MOSFET 简化了设计并提高了功率转换应用的性能，包括开关电源、功率因数校正（PFC）设计、LED 照明和其他 AC/DC 应用。第一款基于第五代工艺的 MOSFET 提供 600 V 和 650 V 额定值，并采用 DPAK (TO-252) 和 TO-220SIS（智能隔离）封装。最大导通电阻额定值范围仅为 0.29 Ω 到 0.56 Ω。
第五代深沟槽工艺超级结 MOSFET特性
与以前的 DTMOS IV 技术相比，RDS(ON)（漏源导通电阻）降低了 17%
0.29 Ω 至 0.56 Ω 导通电阻产品系列
不同封装选择：将采用两种封装（DPAK，TO-220SIS）
第五代深沟槽工艺超级结 MOSFET应用
服务器
基站或其他设备的开关电源
光伏逆变器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TK380P60Y,RQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK | ￥9.30960 | 在线订购 |
| | TK560P65Y,RQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK | ￥10.81920 | 在线订购 |
| | TK290P60Y,RQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK | ￥8.45250 | 在线订购 |
 | | TK560P60Y,RQ | MOSFETs-晶体管 | X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ ; Region : VERICAL | ￥6.31120 | 在线订购 |
| | TK380P65Y,RQ | MOSFETs-晶体管 | 连续漏极电流(Id)：9.7A | ￥22.79590 | 在线订购 |
| | TK290P65Y,RQ | MOSFETs-晶体管 | TK290P65Y,RQ | ￥12.22560 | 在线订购 |
 | | TK560A60Y,S4X | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS | ￥5.27190 | 在线订购 |
 | | TK560A65Y,S4X | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 7A（Tc） 30W TO-220SIS | ￥14.70820 | 在线订购 |
| | TK380A60Y,S4X | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS | 在线订购 | |
| | TK290A65Y,S4X | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS | 在线订购 | |
| | TK290A60Y,S4X | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS | ￥7.32550 | 在线订购 |
应用案例
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