特性

• 低电压内核和 I/O 电源

     VDD2 = 1.14 V 至 1.30 V

     VDDCA/VDDQ = 1.14 V 至 1.30 V

     VDD1 = 1.70 V 至 1.95 V

• 高速未端接逻辑 (HSUL_12) I/O 接口

• 时钟频率范围：

     10 MHz 至 533 MHz（数据速率范围：每个 I/O 为 20 Mbps 至 1066 Mbps）

• 4 位预取 DDR 架构

• 多路复用，双数据速率，指令/地址输入

• 四个或八个内部存储体，支持同时运行

• 每个字节的数据均进行双向/差分数据选通 (DQS/DQS#)

• 可编程读/写延迟 (RL/WL) 和猝发长度（4、8 或 16）

• 存储器预先刷新，以实现同时运行

• ZQ 校准

• 片载温度传感器，用于控制自刷新率

• 局部阵列自刷新 (PASR)

• 存储体和段式遮蔽

• 深度省电模式 (DPD)

• 长期支持

选配件

• x16

• x32

时钟频率

• 533 MHz

• 400 MHz

• 333 MHz

温度等级

• 商业级（0°C 至 +85°C）

• 工业级（-40°C 至 95°C）

密度

• 8 GB

• 4 GB

• 2 GB

• 1 Gb

• 512 Mb

• 256 Mb

封装

• 134 焊球

• 168 焊球 PoP BGA