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    DFN2020-6封装的双晶体管

    DFN2020-6封装的双晶体管

    用于Nexperia电源管理和负载开关的节省空间的设备(Double Transistors in DFN2020-6 Packages)

    发布时间:2018-06-14

    Nexperia的双晶体管在2 mm x 2 mm,DFN(分立扁平无引脚)封装中具有低饱和电压。15种新型号采用无引脚,薄型DFN2020-6(SOT1118)封装,集电极电压(V CEO)为30 V,60 V和120 V.

    低至60 mV的超低饱和电压可实现高效率和更长的电池寿命。集电极电流(IC)最高可达2安培,器件可处理高达3安培的峰值电流。DFN封装只有0.6 mm高,具有出色的热功率(Ptot = 1 W),可以取代许多更大的晶体管封装,如SO8或SOT457。这些是空间受限应用的最佳解决方案。根据AEC-Q101,双晶体管符合汽车标准。Nexperia的低V CE(sat)晶体管产品系列现在包括36个无引线和标准SMD封装的双晶体管,以及高达500 V和高达7 A的250多种单晶振荡器。

    DFN2020-6封装的双晶体管特性

    • 极低的集电极 - 发射极饱和电压V CE(sat)

    • 高集电极电流能力I C和I CM

    • 高集电极电流增益h FE在高I C时

    • 减少印刷电路板(PCB)的要求

    • 由于产生的热量较少,效率较高

    • AEC-Q101合格

    • 超薄中等功率封装:2 mm x 2 mm x 0.6 mm


    DFN2020-6封装的双晶体管应用

    1. 负载开关

    2. 电池驱动的设备

    3. 能源管理

    4. 充电电路

    5. 电源开关(例如电机,风扇)

    Double Transistors in DFN2020-6 Packages
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    PBSS4130PANP,115通用三极管-晶体管三极管 NPN/PNP Ic=1A Vceo=30V hfe=370 P=1400mW DFN2020-6在线订购
    PBSS4130PAN,115通用三极管-晶体管三极管 NPN/NPN Ic=1A Vceo=30V hfe=370 P=1450mW DFN2020-6¥1.84702在线订购
    PBSS5130PAP,115通用三极管-晶体管三极管PNP/PNP Ic=-1A Vceo=-30V hfe=350 P=1450mW DFN2020-6在线订购
    PBSS5160PAP,115通用三极管-晶体管三极管 PNP/PNP Ic=-1A Vceo=-60V hfe=245 P=1450mW DFN2020-6在线订购
    PBSS4112PAN,115通用三极管-晶体管三极管 NPN/NPN Ic=1A Vceo=120V hfe=375 P=1450mW DFN2020-6¥1.91160在线订购
    PBSS4260PANP,115通用三极管-晶体管三极管 NPN/PNP Ic=2A Vceo=60V hfe=430 P=1450mW DFN2020-6¥2.72160在线订购
    PBSS5260PAP,115通用三极管-晶体管Triode PNP/PNP Ic=-2A Vceo=-60V hfe=250 P=1450mW DFN2020-6¥3.24000在线订购
    PBSS4160PANP,115通用三极管-晶体管TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON在线订购
    PBSS4160PAN,115通用三极管-晶体管TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON在线订购
    PBSS4112PANP,115通用三极管-晶体管三极管 NPN/PNP Ic=1A Vceo=120V hfe=375 P=1450mW DFN2020-6¥2.92680在线订购
    PBSS5112PAP,115通用三极管-晶体管三极管 PNP/PNP Ic=-1A Vceo=-120V hfe=305 P=1450mW DFN2020-6在线订购
    PBSS4260PAN,115通用三极管-晶体管三极管 NPN/NPN Ic=2A Vceo=60V hfe=430 P=1450mW DFN2020-6在线订购
    PBSS5230PAP,115通用三极管-晶体管三极管 PNP/PNP Ic=-2A Vceo=-30V hfe=370 P=1450mW DFN2020-6在线订购
    PBSS4230PANP,115通用三极管-晶体管TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON¥2.21400在线订购
    PBSS4230PAN,115通用三极管-晶体管TRANS 30V 2A 6HUSON在线订购

    应用案例

    • 资讯安世半导体理想二极管与负载开关网络研讨会回顾2024-12-26

      理想二极管与负载开关的电气性能出色,能为智能电表、安防系统、电池供电的可穿戴设备和汽车远程信息处理等安全关键应用带来诸多益处。

    • 资讯Nexperia发布微型无引脚逻辑IC,优化汽车应用2024-12-24

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    • 资讯Nexperia推出CCPAK1212封装MOSFET,性能再升级2024-12-24

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    • 资讯安世半导体荣获2024行家极光奖年度优秀产品奖2024-12-17

      在2024年12月12日落幕的行家说三代半年会上,行业内上下游主流企业及行业精英汇聚深圳,共同探讨行业趋势,深化交流合作。安世半导体作为其中的重要一员,凭借其领先产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”荣获「GaN年度优秀产品奖」,这一成就不仅展现了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力,也彰显了其在第三代半导体领域深耕多年的成果。

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    • 资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12

      基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装,具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色,因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项,可实现高功率密度

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    • 资讯Nexperia发布16款新功率MOSFET,采用创新CCPAK封装2024-12-12

      Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。这些产品均采用了创新的铜夹片CCPAK1212封装技术,为行业树立了功率密度和性能的新标杆。 CCPAK封装设计独特,能够承载高电流,寄生电感更低,同时热性能卓越。这些特性使得新推出的MOSFET非常适合电机控制、电源管理、可再生能源系统以及其他高耗电应用。 值得一提的是,该系列还包含了专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET(ASFET)。这些器件不仅性能出众,还能满足AI服务器对热插拔功能

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