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    CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET

    CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET

    Texas Instruments 推出适合空间受限型应用的 CSD22206W -8 V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET(CSD22206W NexFET™ Power MOSFET)

    发布时间:2018-06-14

    Texas Instruments 的 -8 V、4.7 mΩ、1.5 mm x 1.5 mm 器件旨在在最可能小的外形中实现最低的导通电阻和栅极电荷,以超扁平外形实现了出色的热性能。低导通电阻结合小封装和扁平外形,使得该器件成为采用电池供电的空间受限型应用的理想选择。

    CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET特性

    • 超低电阻

    • 小封装:1.5 mm x 1.5 mm

    • 无铅

    • 栅极 ESD 保护

    • 符合 RoHS 规范

    • 无卤素

    • 栅源电压箝位

    CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET应用

    1. 负载开关

    2. 电池管理

    3. 电池保护

    CSD22206W NexFET Power MOSFET
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    CSD22206WTMOSFETs-晶体管MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA¥12.17470在线订购
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    应用案例

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