CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET
Texas Instruments 推出适合空间受限型应用的 CSD22206W -8 V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET(CSD22206W NexFET™ Power MOSFET)
发布时间:2018-06-14
Texas Instruments 的 -8 V、4.7 mΩ、1.5 mm x 1.5 mm 器件旨在在最可能小的外形中实现最低的导通电阻和栅极电荷,以超扁平外形实现了出色的热性能。低导通电阻结合小封装和扁平外形,使得该器件成为采用电池供电的空间受限型应用的理想选择。
CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET特性
超低电阻
小封装:1.5 mm x 1.5 mm
无铅
栅极 ESD 保护
符合 RoHS 规范
无卤素
栅源电压箝位
CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET应用
负载开关
电池管理
电池保护
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| CSD22206WT | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA | ¥12.17470 | 在线订购 | |
| CSD22206W | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA | ¥6.46050 | 在线订购 |
应用案例
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