耐硫电阻器
Samsung Electro-Mechanics 的高性能耐硫电阻器 (ASR)(Anti-Sulfur Resistors)保证了优异的耐硫性能
发布时间:2018-06-14
Samsung Electro-Mechanics 在其高性能 ASR(耐硫电阻器)中使用其独特的材料和工艺,通过采用最高的腐蚀试验条件(105°C/720 小时)来保证优异的耐硫性能。在全球排放量增加的同时,Samsung 可保护高电流片式电阻器免受硫化。
银是片式电阻器设计的最常用电极材料。然而,当银在受污染的环境中暴露于硫时,它会转化为硫化银并使电极开路。为了在暴露于环境中的高可靠性产品提供这种故障模式的保护,需要使用特殊的材料和工艺来制造 ASR。
Samsung Electro-Mechanics 的耐硫片式电阻器基于公司自有材料和设计技术而开发。Samsung 在成功进行严格的内部腐蚀试验至少 2,400 小时之后才出货。
耐硫电阻器特性
提供小至 01005 芯片和 0201 阵列的外壳尺寸
可以卷带包装提供,方便表面贴装
无铅终端带亚光锡
符合 RoHS 规范,7C-I 除外
在高达 105°C/720 小时的硫气中表现优异
耐硫电阻器应用
敏感型电子设备电路
家用电器
移动和通信设备
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| RCS1005J101CS | 贴片电阻-电阻器 | RES 100 OHM 5% 1/16W 0402 | 在线订购 | ||
| RCS1005J102CS | 贴片电阻-电阻器 | 贴片电阻 0402 1KΩ ±5% 1/16W ±100ppm/℃ | 在线订购 | ||
| RCS1005J105CS | 电阻器 | 电阻器 1MΩ ±5% 1/16W ±100ppm/℃ 0402 | ¥0.03055 | 在线订购 | |
| RCS1005J121CS | 电阻器 | 电阻器 120Ω ±5% 1/16W ±100ppm/℃ 0402 | ¥0.03018 | 在线订购 | |
| RCS1005J100CS | 贴片电阻-电阻器 | 贴片电阻 0402 10Ω ±5% 1/16W ±100ppm/℃ | 在线订购 |
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| RPS102PJ150CS | 排阻/电阻网络-电阻器 | RES ARRAY 2 RES 15 OHM 0404 | 在线订购 | ||
| RPS102PJ430CS | 排阻/电阻网络-电阻器 | RES ARRAY 2 RES 43 OHM 0404 | 在线订购 | ||
| RPS102PJ470CS | 排阻/电阻网络-电阻器 | RES ARRAY 2 RES 47 OHM 0404 | 在线订购 | ||
| RPS102PJ270CS | 排阻/电阻网络-电阻器 | RES ARRAY 2 RES 27 OHM 0404 | 在线订购 | ||
| RPS102PJ750CS | 排阻/电阻网络-电阻器 | RES ARRAY 2 RES 75 OHM 0404 | 在线订购 |
应用案例
资讯今日看点丨三星透露:已和大客户接洽2nm、1.4nm代工服务;广汽埃安 AION S Max 纯电轿车正式上市2023-10-27
1. 三星透露:已和大客户接洽2nm 、1.4nm 代工服务 三星旗下晶圆代工部门Samsung Foundry首席技术官Jeong Ki-tae 近日透露,三星尽管成功量产3nm GAA工艺,但在吸引高通、英伟达等大客户方面仍落后于台积电。 他表示,对客户来说,晶圆代工的“稳定性”是最重要的,因此客户在决定时需要花费可达2~3年的较长时间。但是三星在3nm以下的前沿半导体工艺中,有信心获得大客户青睐。Jeong表示,GAA结构晶体管是一项可持续的技术,此前的FinFET鳍式晶体管很难进
资讯追赶SK海力士,三星、美光抢进HBM3E2023-10-25
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看,HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代产品。对于HBM3E,SK海力士预计2023年底前供应HBM3E样品,2024年开始量产。8层堆叠,容量达24GB,带宽为1.15TB/s。 近日,三星电子也更新了HBM3E的进展。据韩媒报道,三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为“Shinebolt”,并正在向客户公司发送HBM3E产品Shinebolt原型机进行质量认可测试。S
资讯三星电子进行12.7GHz—13.25GHz频段的6G网络测试2023-10-24
三星电子进行12.7GHz—13.25GHz频段的6G网络测试 越来越多的企业在加速研发6G网络。日前,三星电子美国分部已向美国联邦通信委员会(FCC)申请无线电频率使用许可,三星电子将在美国得克萨斯州普莱诺周边1公里距离内,进行12.7GHz—13.25GHz频段的6G测试。
资讯三星机电新型多层陶瓷电容器将扩大汽车系统紧凑型高电容解决方案组合2023-10-23
三星机电的新型多层陶瓷电容器 (MLCC) 将扩大汽车系统制造商可用的紧凑型高电容解决方案组合。新开发的 CL31B106KBK6PJ# 是一款 1206 英寸 (3.2 x 1.6 mm) 电容器,50V 时的额定值为 10μF。 随着汽车电动化和功能性的发展,车载MLCC的数量正在迅速增加。如今,车辆的关键设备可以达到数千个。MLCC通过确保车载电路的稳定性,为车辆的安全性和可靠性做出贡献。三星机电正在开发一系列解决方案,以满足行业对小型化、稳定性和电容的要求,以满足动力总成和安
资讯三星披露下一代HBM3E内存性能2023-10-23
FinFET立体晶体管技术是Intel 22nm率先引用的,这些年一直是半导体制造工艺的根基,接下来在Intel 20A、台积电2nm、三星3nm上,都将转向全环绕立体栅极晶体管。
资讯合并在即,西部数据和铠侠控股获127亿美元融资2023-10-23
被协是世界第三大闪存公司,西部数据公司第四位。目前正在推进的合并实体可能会达到和世界第一大企业三星电子相似的水平。
资讯三星宣布开发业界首款车用级5nm eMRAM2023-10-23
三星在会上表示,作为新一代汽车技术,正在首次开发5nm eMRAM。三星计划到2024年为止,用14纳米工程增加mbram产品有价证券组合,2年后升级为8纳米制程。
资讯单芯片超过 100Gb,三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片2023-10-23
三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。