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UMOS9 DPAK MOSFET
Toshiba 出品基于下一代 U-MOS IX-H 沟槽工艺的 MOSFET（UMOS9 DPAK MOSFETs），能在所有负载条件下实现高能效
发布时间：2018-06-14
Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品，为公司的现有产品线新增 40 V 和 60 V 器件。所有这些器件均提供 DPAK 封装选择。这种封装可实现低导通电阻、低 QOSS，进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。
这些新型 N 沟道 MOSFET 包括 40 V 和 60 V 器件，基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 沟槽式半导体工艺。这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON)) ，以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率，最终在各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间，包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。这些技术也非常适合用于电机控制，以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。
UMOS9 DPAK MOSFET特性
低漏源导通电阻
低输出充电（漏源电容充电）
DPAK 封装 (6.54 mm x 10.14 mm x 2.3 mm)
UMOS9 DPAK MOSFET应用
服务器和基站电源
高能效 DC-DC 转换器
开关稳压器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TK3R1P04PL,RQ | MOSFETs-晶体管 | TK3R1P04PL,RQ | ￥14.16048 | 在线订购 |
| | TK4R4P06PL,RQ | MOSFETs-晶体管 | 表面贴装型 N 通道 60 V 58A（Tc） 87W（Tc） DPAK | ￥5.52340 | 在线订购 |
 | | TK6R7P06PL,RQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK | 在线订购 |
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