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600 V GenX3SC™ IGBT
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Digi-Key 推出来自 IXYS 的 600 V GenX3SC™ IGBT(600 V GenX3SC™ IGBTs)
发布时间:2018-06-13
功率半导体行业最近出现的碳化硅 (SiC) 技术及其商业化,为低损耗、耐高温分立功率元件开发带来了巨大的性能飞跃。 IXYS 将最新的碳化硅二极管技术与其先进的 GenX3™ IGBT 结合在一起,使诸多应用的能效和性能达到一个全新水平,具体如开关模式电源、电机驱动器、功率因数校正电路和风能、太阳能逆变器。 这种集成会大大减少 IGBT 和二极管的动态损耗,提供并一种能让系统级性能实现相当大提升的方法。
600 V GenX3SC™ IGBT特性
超快碳化硅肖特基混装二极管
无需反向恢复
方形 RBSOA
高功率密度
对针低导通和开关损耗而优化
两种速度分类(B3 和 C3 类别)
额定雪崩
专有的 ISOPLUS 封装选择(2500 V 电气隔离)
提升了整体系统级能效
降低了总体系统成本
能够提高 PWM 频率,减少了磁性和滤波元件的尺寸和数量
能够使用更小的散热和/或冷却装置
600 V GenX3SC™ IGBT应用
高频功率转换器
UPS
电机驱动器
SMPS
PFC 电路
电池充电器
焊机
灯镇流器
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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![]() | | IXGH36N60B3C1 | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 75A 250W TO247 | ¥378.09755 | 在线订购 |
![]() | | IXGA30N60C3C1 | MOSFETs-晶体管 | IGBT PT 600V 60A 220W Surface Mount TO-263 (IXGA) | 在线订购 | |
![]() | | IXGH48N60C3C1 | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 75A 300W TO247 | 在线订购 |
应用案例
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...合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时,驱动效果和各项性能表现优良,但当其工作在高频下时,其脉冲前后沿变的较差,即信号的最大传输宽度受到限制。且厚膜内部采...
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