IXYS 推出 GigaMOS TrenchT2 标准版和 HiPerFET™ 功率 MOSFET 产品，进一步扩大了其 GigaMOS 产品系列。 这些器件具有 40 V 至 170 V 最大额定漏源电压，以及高达 600 A 的大电流能力（25°C 时的 Tc)。 这些 MOSFET 的高额定电流与多个紧凑型封装选项的结合，能让设计人员在更小的基底面内控制更大的功率。 在大功率开关应用中，这些器件还通过减少或者消除多个较低电流级 MOSFET 器件并联，使器件更加坚固耐用。 这样，就能减少零件以及所需的驱动元件数量，从而从整体上简化系统，提升系统总体可靠性，降低系统总成本。