TrenchP™P沟道功率MOSFET
IXYS提供XTP32P05T和IXTP28P065T超低导通电阻P沟道MOSFET(TrenchP™ P-Channel Power MOSFETs)
发布时间:2018-06-13
该系列P沟道器件利用了IXYS先进沟槽单元技术带来的优势,这些技术通常在其业界公认的功率器件产品组合中实施。它们具有超低导通电阻(R DSon)和栅极电荷(Qg),可最大限度地降低传导和开关损耗,同时提高操作和热效率。
这些器件非常适用于“高端”开关应用,其中可以采用以地为参考的简单驱动电路,绕过使用N沟道MOSFET时通常涉及的额外“高端”驱动器电路。这使设计人员能够减少元件数量,从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外,这允许设计具有相应IXYS N沟道MOSFET的互补功率输出级,用于具有简单驱动电路的功率半桥级。
IXTP32P05T(-50 V,-32 A,Qg = 46 nC,R DSon = 36 mOhms)和IXTP28P065T(-65 V,-28 A,Qg = 46 nC,R DSon= 45 mOhms)是一些例子,说明了TrenchP™P沟道功率MOSFET系列提供的卓越电气和热效率。其他功能包括扩展的正向偏置安全工作区(FBSOA),快速开关性能和出色的雪崩功能。这些产品可用于支持额定电压和电流范围为-50 V至-150 V和-18 A至-140 A的应用。封装选项包括标准低成本通孔TO-220和表面贴装TO-263封装。可从这些器件中获益的常见应用包括高侧或负载开关,DC / DC转换器,高电流调节器,DC斩波器,CMOS高功率放大器,推挽式放大器和功率固态继电器。
TrenchP™P沟道功率MOSFET特性
国际标准包装
快速本征二极管
雪崩评级
低Q G和R DS(开)
扩展FBSOA
TrenchP™P沟道功率MOSFET应用
负载开关
高侧开关
低压应用,如汽车,DC / DC转换器
用于便携式和电池供电系统的高效开关电源
逆变器和电池充电器
音频和医疗应用
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| IXTP32P05T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 | ¥20.44645 | 在线订购 | |
| IXTP28P065T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 65V 28A TO-220 | 在线订购 |