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TDTTP2500P100-KIT 4 kW 推拉式 PFC GaN 评估板
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Transphorm 的 TDTTP4000W066B-KIT (TDTTP4000W066B-KIT 4 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board)是一款 4 kW 推拉式功率因数校正 (PFC) GaN 评估平台
发布时间:2018-06-13
Transphorm 的 TDTTP4000W066B 4 kW 无电桥推拉式 PFC 评估板实现了极高的单相 AC-DC 转换效率。在电路的快速开关分支电路中采用 GaN FET,在慢速开关分支点路中采用低电阻 MOSFET 的结果是性能和效率同时获得提升。TDTTP4000W066B-KIT 仅用于评估。
TDTTP2500P100-KIT 4 kW 推拉式 PFC GaN 评估板特性
功率:4 kW
开关频率:66 kHz
TP65H035WS
易于使用的平台,用于研究 GaN
TDTTP2500P100-KIT 4 kW 推拉式 PFC GaN 评估板应用
数据中心电源
广泛的工业电源
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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应用案例
资讯Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件2024-04-25
全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起,组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。 新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Tra
资讯瑞萨电子收购氮化镓供应商Transphorm2024-01-23
瑞萨电子近日宣布了一项重大收购,以每股5.10美元的价格收购美国氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm。这次收购总额为3.39亿美元,相当于24.34亿元人民币。相比1月10日的收盘价,此次收购溢价约35%。
资讯Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线2024-01-19
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程,该制造工艺不仅可靠性高,而且具有良好的成本效益,
资讯瑞萨宣布收购Transphorm,双方已达成最终协议2024-01-19
此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元(约合人民币24.27亿元)。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术。
资讯瑞萨豪掷3.39亿美元收购Transphorm,押宝GaN技术2024-01-12
在科技领域的巨浪中,瑞萨电子以35%的溢价宣告了一项重磅收购。1月11日,瑞萨电子正式宣布与氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm达成最终协议,按照协议的规定,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的高价收购Transphorm,总估值达到了3.39亿美元。 据百能云芯电.子元器.件商.城了解,此次收购将赋予瑞萨电子自主GaN技术,进一步拓展其业务领域,将目光瞄准电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等多个高速增长的
资讯瑞萨宣布收购Transphorm,大举进军GaN2024-01-12
全球半导体解决方案供应商 瑞萨 电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。 此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材
资讯Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计2023-12-27
新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计,并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势 2023 年 12 月 21 日 -全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码TGAN)宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压(CC/CV)电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧和150毫欧 SuperGaN® 器件,以极具竞争力的成本实现高效的 AC-DC 功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实
资讯Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件2023-11-07
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势,此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能,并产生较低的热量 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,这意味着TOLL封装的Supe