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DESD3V3Z1BCSF 超紧凑的 TVS 器件
Diodes 的超低通道输入电容（DESD3V3Z1BCSF Ultra-Compact TVS Device）实现高速数据线路 ESD 保护
发布时间：2018-06-13
Diodes Incorporated DESD3V3Z1BCSF 是数据线路保护产品系列中的一款超低输入电容（典型值 0.17 pF）TVS 器件，其插损相比最近发布的相同产品系列中的器件低 66%。该器件可保护采用先进纳米工艺节点制造的片载 (SoC) 混合信号系统中的高速 I/O。它采用超紧凑 (0.6 mm x 0.33 mm) 封装，按照 IEC61000-4-5 (8/20 μs) 标准具有 9 V 击穿电压 (VBR)、3 A 最大峰值脉冲电流 (IPP) 和 4.5 V（典型值）箝位电压 (VCL)。按照 IEC61000-4-2 标准，DESD3V3Z1BCSF 专为承受高达 ±8 kV 的空气和接触放电。
DESD3V3Z1BCSF 非常适合用于保护高速接口，如 USB 3.1/3.2 （高达 20 Gbps) 和 Thunderbolt™ 3（高达 40 Gbps) 不受 ESD 的损害。外壳采用绿色 X2-DSN0603-2 封装，该器件非常适用于完全自动化的生产环境中，可轻松应用于空间是首要考虑因素的系统。
DESD3V3Z1BCSF 超紧凑的 TVS 器件特性
超低通道输入电容
凭借低至 0.17 pF 的输入电容，任何一对高速差动传输线上的插损都能满足或超越 USB 3.1/3.2 和 Thunderbolt™ 3 的要求
低箝位电压和反向切断电压
具有 IPP = 3 A 的 4.5 A（典型值）箝位电压 (VCL) 和最大 3.3 V 的反向断态电压 (VRWM)，该器件可确保受保护的混合信号 SoC 工作在安全的限制范围内
符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-5 标准
一个通道的 I/O 保护为 IEC61000-4-2 (ESD) 高达 ±8 kV 的气隙放电和接触放电，IEC61000-4-5（8/20 μs 浪涌）高达 3 A 的峰值脉冲电流 (IPP)
超紧凑 X2-DSN0603-2 封装
极小封装（0.6 mm x 0.3 mm 典型值）和超小 z 高度（典型值 0.3 mm）的组合使得该器件可满足严格的应用环境
DESD3V3Z1BCSF 超紧凑的 TVS 器件应用
PC 和计算机外围设备
音频/视频设备
智能手机
4K/8K 监视器
AR/VR 设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DESD3V3Z1BCSF-7 | ESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件 | 3.3V | ￥0.62920 | 在线订购 |
应用案例
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