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Trench 9 40 V MOSFET
Nexperia 的超级结 MOSFET （Trench 9 40 V MOSFETs）采用 LFPAK56/56E 封装，RDS(ON) 降低 30%
发布时间：2018-06-13
Nexperia 系列 Trench 9 功率 MOSFET 主要针对汽车行业，结合了该公司的低电压超级结技术和其先进的封装能力，可实现高性能和坚固性。Nexperia 扩大了其汽车级 Power-SO8 MOSFET 产品组合，现包括超低 RDS(ON) 零件，可满足许多典型汽车应用中对更高功率密度的不断增长的需求。Trench 9 器件均符合 AEC-Q101 规格，且超越了这一国际汽车级标准的要求，在包括温度循环、耐高温栅极偏置、耐高温反向偏置和断续工作寿命等主要的可靠性测试方面达到了两倍的指标值。
FPAK56E 是 Nexperia 汽车 LFPAK 封装系列最新的创新之作。LFPAK56E 是增强型的版本，采用广受欢迎的 LFPAK56 封装，具有优化的引线框架和封装设计，实现了更高 RDS(ON) 和高达 30% 的功率密度提升。这种高功率密度让 Trench 9 LFPAK56 MOSFET 可用于以前仅能借助 D2PAK 和 D2PAK-7 实现的应用，能显著节省 PCB 的空间。
Nexperia 的超级结技术比同类竞争产品的技术实现了更高的雪崩和安全工作区 (SOA) 能力，确保故障条件下关键器件的安全。传统上，大多数供应商不建议将 TrenchMOS 技术用于单触发或重复性雪崩的应用。Trench 9 专为提供出色的单触发和重复性雪崩性能，适用于各种要求苛刻的应用和故障条件，Nexperia 的 Trench 9 MOSFET 规格书包括单触发和重复性雪崩额定值。
Trench 9 40 V MOSFET特性
六个标准级产品，从 1.4 mΩ 到 3.5 mΩ
R DS(ON) 能力从 3 mΩ 提升至 1.4 mΩ
非常坚固耐用的超级结技术，具有出色的 SOA 和雪崩能力
增强型的 LFPAK56E 设计在 RDS(ON) 和功率密度方面提供高达 30% 的提升
通过低 RDS(ON) 和更强的开关性能获得更高的效率和功率密度
严格的 Vth 限制便于在高电流应用中并联 MOSFET
增强型 ID 最高可达 120 A
Trench 9 40 V MOSFET应用
电机控制（有刷和无刷）
动力转向和传输控制
ABS 和电子稳定控制 (ESC)
泵：水、油和燃料
反向电池保护
DC/DC 转换器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BUK7Y3R5-40HX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT669 | ￥6.07608 | 在线订购 |
 | | BUK7Y3R0-40HX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT669 | ￥8.29786 | 在线订购 |
 | | BUK7Y2R5-40HX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT669 | 在线订购 | |
 | | BUK7Y2R0-40HX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT669 | 在线订购 | |
 | | BUK7Y1R7-40HX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT669 | 在线订购 | |
 | | BUK7J1R4-40HX | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=40V ID=190A RDS(ON)=1.4mΩ@10V SOT1023 | ￥14.62709 | 在线订购 |
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