EPC2050 功率晶体管
EPC 的 EPC2050 350 V eGaN® 功率晶体管(EPC2050 Power Transistor)尺寸比同类硅解决方案小 20 倍
发布时间:2018-06-13
EPC 的 350 V GaN 晶体管 EPC2050 具有 65 mΩ 的最大 RDS(on) 和 26 A 的脉冲输出电流。应用包括电动车充电、太阳能逆变器、电机驱动器和多电平转换器配置,例如用于电信或服务器电源的 3 电平 400 V 输入到 48 V 输出 LLC 转换器。
EPC2050 尺寸仅 1.95 mm x 1.95 mm (3.72 mm2)。该器件封装小,性能高。鉴于 EPC2050 尺寸微小,采用栅极驱动器的高能效半桥占用的空间比同类硅解决方案减少了五倍。虽然这种芯片级封装体积小巧,但是 EPC2050 比塑料封装 MOSFET 能更有效地处理热状况。
EPC2050 功率晶体管特性
高电压 GaN
350 V, 65 mΩ, 26 A
小封装
低电感、外形极小、1.95 mm x 1.95 mm BGA 表面贴装钝化内核
EPC2050 功率晶体管应用
多电平 AC-DC 转换
电动汽车充电
太阳能逆变器
电机驱动
无线功率 E 类放大器
LED 照明
医学成像
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| EPC2050ENGRT | MOSFETs-晶体管 | TRANS GAN 350V BUMPED DIE | 在线订购 |
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| EPC9084 | 评估和演示板和套件-开发板/套件/编程器 | BOARD DEV FOR EPC2050 350V EGAN | 在线订购 |
应用案例
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