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    P 沟道 MOSFET

    P 沟道 MOSFET

    Vishay 的 p 沟道 MOSFET (P-Channel MOSFETs)具有最低单位面积导通电阻,实现最小的 PCB

    发布时间:2018-06-13

    Vishay Siliconix p 沟道 TrenchFET® 第三代和第四代 MOSFET 是具有最低单位面积导通电阻的 p 沟道 MOSFET,仅为此前业内最佳值的一半。

    • 最低单位面积导通电阻可实现最小的 PCB

    • 更低的电压降提高了效率和电池运行时间

    • 双通道器件使电池充电器设计能够降低潜在元件数

    Vishay p 沟道 TrenchFET 第三代和第四代 MOSFET 具有各种各样的封装尺寸和导通电阻额定值,适合宽范围的应用。此外,低导通电阻可实现低导通损耗,节省电力和延长每次充电的电池使用寿命。

    P 沟道 MOSFET特性

    • 达到 p 沟道 MOSFET 的最低单位面积导通电阻,仅为此前业内最佳值的一半

    • SO-8 封装面积降至低于 2 mΩ

    • 低导通损耗,节省电池供电型系统的电源

    • 多种封装尺寸,从 PowerPAK SO-8® 到 1.6 mm x 1.6 mm PowerPAK SC-75 和 0.8 mm x 0.8 mm 芯片尺寸的 MICRO FOOT®

    P 沟道 MOSFET应用

    1. 电池供电型设备

    2. 笔记本电脑、平板电脑

    3. 游戏机

    4. 消费电子

    5. 可穿戴设备

    P-Channel MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SI4435FDY-T1-GE3MOSFETs-晶体管SI4435FDY-T1-GE3¥1.84670在线订购
    SI7111EDN-T1-GE3MOSFETs-晶体管MOSFETP-CH30V60A1212-8¥3.48840在线订购
    SI8823EDB-T2-E1MOSFETs-晶体管MOSFETP-CH20V2.7A4-MICROFOOT¥0.90207在线订购
    SIA469DJ-T1-GE3MOSFETs-晶体管MOSFETP-CH30V12ASC70-6¥1.66374在线订购
    SI3473DDV-T1-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP¥1.11986在线订购

    应用案例

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