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    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

    使用来自 ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 二极管(Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes)设计下一代电源系统

    发布时间:2018-06-13


    ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用一种全新的技术,可为硅提供出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。ON Semiconductor 推出具有一系列电流和封装选择的 650V 和 1200V 器件,将下一代电源系统的能效和功率密度的设计范围提升到新的高度。

    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管特性

    • 无反向 QRR 恢复,无正向恢复

    • 低正向电压(更低的导通损耗)

    • 工作温度范围内的漏泄稳定性

    • 独立于温度的开关特性

    • 更高的浪涌和雪崩能力

    • 正温度系数

    • 更高工作温度(TJMAX = 175 °C)

    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管应用

    1. 太阳能光伏逆变器 (PV)

    2. 功率因数校正 (PFC)

    3. 电动/混合动力汽车充电器

    4. 不间断电源 (UPS)

    5. 电信和服务器电源

    Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    FFSP10120A碳化硅二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2在线订购
    FFSP15120A碳化硅二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2¥58.31457在线订购
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    FFSP0865A碳化硅二极管-二极管二极管 650 V 13A 通孔 TO-220-2¥35.10329在线订购

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