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场截止 IGBT 技术
ON Semiconductor 的场截止 IGBT （Field Stop (FS) IGBT Technology）具有高输入阻抗和高电流能力
发布时间：2018-12-21
ON Semiconductor 的场截止 (FS) IGBT 技术能让设计人员开发出具有更高输入电压，提供最佳性能的高度可靠的系统，以支持需要低传导和开关损耗的应用。 IGBT 具有高电流处理能力、正温度系数、紧密的参数分布和宽安全工作区。 更高的击穿电压提高了负环境温度下的可靠性。 随着温度下降，IGBT 和 RFD 的阻断电压也会随之降低，使得这些器件极其适用于在寒冷地区安装的光伏太阳能逆变器。 因为 IGBT 和续流二极管的选用是实现高能效的关键，ON Semiconductor IGBT 提供快速软恢复，降低了功率耗散并实现低导通和关断损耗。 ON Semiconductor FS 技术带来了高性能，同时又不牺牲可靠性和坚固性，并致力于持续改进 IGBT 性能。 我们的第四代技术开发实现了出色的平衡特性和更稳固的动态闩锁效应，其性能优于任何其它 FS IGBT。白皮书 - 详细分析和性能结果
场截止 IGBT 技术特性
最高结温：Tj = 175 °C
正温度系数，易于并联工作
零件 100% 经过 ILM(1) 测试
低饱和电压：
VCE(sat) = 1.8 V（典型值）@ IC = 30 A、40 A、60 A高输入阻抗
开关速度快
紧密的参数分布
符合 RoHS 规范
高电流能力
场截止 IGBT 技术应用
焊机和工业应用以及功率因数校正
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGA4060ADF | MOSFETs-晶体管 | IGBT 600V 80A 238W TO-3PN | 在线订购 | |
 | | FGY75N60SMD | MOSFETs-晶体管 | IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3 | ￥36.30000 | 在线订购 |
 | | FGY40T120SMD | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 882W Through Hole TO-247 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGH40T65UPD | MOSFETs-晶体管 | IGBT 650V 80A 268W TO-247AB | 在线订购 | |
 | | FGA20S140P | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 1400V 40A 272W Through Hole TO-3PN | 在线订购 |
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